依据Computerworld网站报导，IBM研究人员在自旋电子学范畴(“自旋搬迁电子学”的简称)获得了严重技能打破，能够运用电子在磁场内的自旋并结合读写头，在半导体资料上记载和读取数位数据，能够将电子自旋周期延伸30倍，然后有望打破内存职业面对的“极限窘境”，在未来引发新一轮“存储革新”。
关于自旋电子学来说，一向面对一个固有的问题，由于电子“向上或向下”的方向状况只能坚持100皮秒(1纳秒的千分之一)。100皮秒不足以进行一次运算，所以晶体管不能完结运算功用，数据存储也不耐久。
转播到腾讯微博
电子螺旋式自旋形式图(来历Computerworld网站)
IBM的研究人员选用砷化镓作为其主要半导体资料进行研究，当半导体资料的尺度缩小到电子流不再受控时，经过电子的电荷改变来进行数据的编码与处理的技能就受到了约束。针对NAND闪存产品所运用的电路宽度现已小于20纳米，但是经过操控电子的自旋而非电荷，自旋电子学能够战胜内存职业所面对的这一窘境。
据悉，早在自旋电子学范畴，法国斯特拉斯堡资料物理与化学研究中心的物理学家们在自旋电子学的基础上建立了新式激光技能，能够运用激光来加快硬盘的存储输入/输出，使其比现有读写速度进步10万倍。
IBM的研究人员表明，他们获得的打破为晶体管和非易失性存储拓荒了路途，这种新式存储技能的能耗将会远低于今日的NAND闪存技能。
