PN结的构成及运用电路
1．ＰＮ结的构成
（1）当Ｐ型半导体和Ｎ型半导体结合在一起时，因为交界面处存在 载流子浓度的差异 ，这样电子和空穴都要 从浓度高的当地向浓度低的当地分散 。可是，电子和空穴都是带电的，它们分散的成果就使Ｐ区和Ｎ区中本来的电中性条件破坏了。Ｐ区一侧因失掉空穴而留下不能移动的负离子，Ｎ区一侧因失掉电子而留下不能移动的正离子。这些不能移动的带电粒子一般称为 空间电荷 ，它们会集在Ｐ区和Ｎ区交界面邻近，构成了一个很薄的空间电荷区，这便是咱们所说的 ＰＮ结 。
图（1）浓度差使载流子发作分散运动
（2）在这个区域内，大都载流子已分散到对方并复合掉了，或者说耗费殆尽了，因而，空间电荷区又称为 耗尽层 。
（3）Ｐ区一侧呈现负电荷，Ｎ区一侧呈现正电荷，因而空间电荷区呈现了方向由Ｎ区指向Ｐ区的电场，因为这个电场是载流子分散运动构成的，而不是外加电压构成的，故称为 内电场 。
图（2）内电场构成
（4）内电场是由多子的分散运动引起的，伴随着它的树立将带来两种影响：一是 内电场将阻止多子的分散 ，二是P区和N区的少子一旦接近PN结，便在内电场的效果下漂移到对方， 使空间电荷区变窄 。
（5）因而， 分散运动使空间电荷区加宽，内电场增强，有利于少子的漂移而不利于多子的分散；而漂移运动使空间电荷区变窄，内电场削弱，有利于多子的分散而不利于少子的漂移。
当分散运动和漂移运动到达动态平衡时，交界面构成安稳的空间电荷区，即 ＰＮ结处于动态平衡 s。
2．ＰＮ结的单向导电性
（1） 外加正向电压 （正偏）
在外电场效果下，多子将向ＰＮ结移动，成果使空间电荷区变窄，内电场被削弱，有利于多子的分散而不利于少子的漂移，分散运动起首要效果。成果，Ｐ区的多子空穴将连绵不断的流向Ｎ区，而Ｎ区的多子自由电子亦不断流向Ｐ区，这两股载流子的活动就构成了ＰＮ结的正向电流。
（2） 外加反向电压 （反偏）
在外电场效果下，多子将违背ＰＮ结移动，成果使空间电荷区变宽，内电场被增强，有利于少子的漂移而不利于多子的分散，漂移运动起首要效果。漂移运动发生的漂移电流的方向与正向电流相反，称为反向电流。 因少子浓度很低，反向电流远小于正向电流 。
当温度一守时，少子浓度必定，反向电流简直不随外加电压而改变，故称为 反向饱和电流 。
3.二极管的根本运用电路
（1）限幅电路—运用二极管的单向导电性和导通后两头电压根本不变的特色组成。
（2）箝位电路—将输出电压箝位在必定数值上。
注：黑色—输入信号，蓝色—输出信号，波形为用ＥＷＢ仿真成果。
