场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管。主要有两种类型（juncTIon FET—JFET）和金属 – 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。
场效应管由大都载流子参加导电，它归于电压操控型半导体器材。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态规模大、易于集成、没有二次击穿现象、安全作业区域宽等长处，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强壮竞争者。
场效应管（FET）是运用操控输入回路的电场效应来操控输出回路电流的一种半导体器材，并以此命名。因为它仅靠半导体中的大都载流子导电，又称单极型晶体管。
MOS场效应管的作业原理_场效应管丈量方法—-场效应管效果
1、场效应管可运用于扩大。因为场效应管扩大器的输入阻抗很高，因而耦合电容能够容量较小，不用运用电解电容器。
2、场效应管很高的输入阻抗十分适协作阻抗改换。常用于多级扩大器的输入级作阻抗改换。
3、场效应管能够用作可变电阻。
4、场效应管能够方便地用作恒流源。
5、场效应管能够用作电子开关。
MOS场效应管的作业原理_场效应管丈量方法—-场效应管作业原理
场效应管作业原理用一句话说，便是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结构成的反偏的栅极电压操控ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的改变，发生耗尽层扩展改变操控的原因。在VGS=0的非饱满区域，表明的过渡层的扩展因为不很大，依据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID活动。
从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成阻塞型，ID饱满。将这种状况称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挠，并不是电流被堵截。
在过渡层因为没有电子、空穴的自在移动，在抱负状况下简直具有绝缘特性，一般电流也难活动。可是此刻漏极-源极间的电场，实践上是两个过渡层触摸漏极与门极下部邻近，因为漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度简直不变发生ID的饱满现象。其次，VGS向负的方向改变，让VGS=VGS（off），此刻过渡层大致成为掩盖全区域的状况。并且VDS的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只要接近源极的很短部分，这更使电流不能流转。
MOS场效应管的作业原理_场效应管丈量方法—-场效应管参数
场效应管的参数许多，包含直流参数、沟通参数和极限参数，但一般运用时重视以下主要参数：
1、I DSS — 饱满漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压U GS=0时的漏源电流。
2、UP — 夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。
3、UT — 敞开电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。
4、gM — 跨导。是表明栅源电压U GS — 对漏极电流I D的操控才能，即漏极电流I D改变量与栅源电压UGS改变量的比值。gM 是衡量场效应管扩大才能的重要参数。
5、BUDS — 漏源击穿电压。是指栅源电压UGS一守时，场效应管正常作业所能接受的最大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的作业电压有必要小于BUDS。
6、PDSM — 最大耗散功率。也是一项极限参数，是指场效应管功能不变坏时所答应的最大漏源耗散功率。运用时，场效应管实践功耗应小于PDSM并留有必定余量。
7、IDSM — 最大漏源电流。是一项极限参数，是指场效应管正常作业时，漏源间所答应通过的最大电流。场效应管的作业电流不该超越IDSM
几种常用的场效应三极管的主要参数
C-MOS场效应管（增强型MOS场效应管）
MOS场效应管的作业原理_场效应管丈量方法—-MOS场效应管作业原理
这是该设备的中心，在介绍该部分作业原理之前，先简略解说一下MOS 场效应管的作业原理。
MOS 场效应管也被称为MOS FET， 既Metal Oxide Semiconductor Field EffectTransistor（金属氧化物半导体场效应管）的缩写。它一般有耗尽型和增强型两种。本文运用的为增强型MOS场效应管，其内部结构见图5。它可分为NPN型PNP型。NPN型一般称为N沟道型，PNP型也叫P沟道型。由图可看出，关于N沟道的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上，相同关于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。咱们知道一般三极管是由输入的电流操控输出的电流。但关于场效应管，其输出电流是由输入的电压（或称电场）操控，能够以为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器材有很高的输入阻抗，一起这也是咱们称之为场效应管的原因。
为解说MOS场效应管的作业原理，咱们先了解一下仅含有一个P—N结的二极管的作业进程。如图6所示，咱们知道在二极管加上正向电压（P端接正极，N端接负极）时，二极管导通，其PN结有电流通过。这是因为在P型半导体端为正电压时，N型半导体内的负电子被招引而涌向加有正电压的P型半导体端，而P型半导体端内的正电子则朝N型半导体端运动，然后构成导通电流。同理，当二极管加上反向电压（P端接负极，N端接正极）时，这时在P型半导体端为负电压，正电子被集合在P型半导体端，负电子则集合在N型半导体端，电子不移动，其PN结没有电流通过，二极管截止。
关于场效应管，在栅极没有电压时，由前面剖析可知，在源极与漏极之间不会有电流流过，此刻场效应管处与截止状况（图7a）。当有一个正电压加在N沟道的MOS场效应管栅极上时，因为电场的效果，此刻N型半导体的源极和漏极的负电子被招引出来而涌向栅极，但因为氧化膜的阻挠，使得电子集合在两个N沟道之间的P型半导体中（见图7b），然后构成电流，使源极和漏极之间导通。咱们也能够想像为两个N型半导体之间为一条沟，栅极电压的树立相当于为它们之间搭了一座桥梁，该桥的巨细由栅压的巨细决议。图8给出了P沟道的MOS
场效应管的作业进程，其作业原理类似这儿不再重复。
下面简述一下用C-MOS场效应管（增强型MOS场效应管）组成的运用电路的作业进程（见图9）。电路将一个增强型P沟道MOS场效应管和一个增强型N沟道MOS场效应管组合在一起运用。当输入端为低电平时，P沟道MOS场效应管导通，输出端与电源正极接通。当输入端为高电平时，N沟道MOS场效应管导通，输出端与电源地接通。在该电路中，P沟道MOS场效应管和N沟道MOS场效应管总是在相反的状况下作业，其相位输入端和输出端相反。通过这种作业方式咱们能够获得较大的电流输出。一起因为漏电流的影响，使得栅压在还没有到0V，一般在栅极电压小于1到2V时，MOS场效应管既被关断。不同场效应管其关断电压略有不同。也正因为如此，
使得该电路不会因为两管一起导通而形成电源短路。
由以上剖析咱们能够画出原理图中MOS场效应管电路部分的作业进程（见图10）。作业原理同前所述。
MOS场效应管的作业原理_场效应管丈量方法—-场效应管丈量方法
下面是对场效应管的丈量方法：场效应管英文缩写为FET.可分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管（MOSFET），咱们往常简称为MOS管。而MOS管又可分为增强型和耗尽型而咱们往常主板中常见运用的也便是增强型的MOS管。
下图为MOS管的标识
咱们主板中常用的MOS管G D S三个引脚是固定的。。。不管是N沟道仍是P沟道都相同。。。把芯片放正。。。从左到右别离为G极D极S极！如下图：
用二极管档对MOS管的丈量。。。首先要短接三只引脚对管子进行放电。。。
1然后用红表笔接S极。黑表笔接D极。假如测得有500多的数值。。阐明此管为N沟道。。
2黑笔不动。。用红笔去触摸G极测得数值为1.
3红笔移回到S极。此刻管子应该为导通。。。
4然后红笔测D极。而黑笔测S极。应该测得数值为1.（这一步时要注意。因为之前丈量时给了G极2.5V万用表的电压。。所以DS之间仍是导通的。。不过大约10几秒后才康复正常。。。主张进行这一步时再次短接三脚给管子放电先）
5然后红笔不动。黑笔去测G极。。数值应该为1
到此咱们能够断定此N沟道场管为正常
有的人说后边两步能够省掉意外。。。不过我习惯性把五个进程全用上。。。当然。对然P沟道的丈量进程也相同。。。只不过第一步为黑表笔测S极。红表笔测D极。。能够测得500多的数值。。。
丈量方法描绘到此结束。。。.
MOS场效应管的作业原理_场效应管丈量方法—-可控硅，场效应管，三极管的差异
场效应管 VS 三极管
1．场效应管的源极s、栅极g、漏极d别离对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的效果类似。
2．场效应管是电压操控电流器材，由vGS操控iD，其扩大系数gm一般较小，因而场效应管的扩大才能较差；三极管是电流操控电流器材，由iB（或iE）操控iC。
3．场效应管栅极简直不取电流（ig»0）；而三极管作业时基极总要汲取必定的电流。因而场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻高。
4．场效应管只要多子参加导电；三极管有多子和少子两种载流子参加导电，而少子浓度受温度、辐射等要素影响较大，因而场效应管比晶体管的温度稳定性好、抗辐射才能强。在环境条件（温度等）改变很大的情况下应选用场效应管。
5．场效应管在源极水与衬底连在一起时，源极和漏极能够交换运用，且特性改变不大；而三极管的集电极与发射极交换运用时，其特性差异很大，b值将减小许多。
6．场效应管的噪声系数很小，在低噪声扩大电路的输入级及要求信噪比较高的电路中要选用场效应管。
7．场效应管和三极管均可组成各种扩大电路和开路电路，但因为前者制作工艺简略，且具有耗电少，热稳定性好，作业电源电压规模宽等长处，因而被广泛用于大规模和超大规模集成电路中。
可控硅 VS （三极管 /场效应管）
可控硅是一种特别的二极管，是可控硅整流元件的简称。是一种具有三个PN 结的四层结构的大功率半导体器材，一般由两晶闸管反向衔接而成。它的功用不仅是整流，还能够用作无触点开关以快速接通或堵截电路，实现将直流电变成沟通电的逆变，将一种频率的沟通电变成另一种频率的沟通电等等。
可控硅二极管可用两个不同极性（P-N-P和N-P-N）晶体管来模仿。当可控硅的栅极悬空时，BG1和BG2都处于截止状况，此刻电路基本上没有电流流过负载电阻RL，当栅极输入一个正脉冲电压时BG2道通，使BG1的基极电位下降，BG1因而开端道通，BG1的道通使得BG2的基极电位进一步升高，BG1的基极电位进一步下降，通过这一个正反馈进程使BG1和BG2进入饱满道通状况。电路很快从截止状况进入道通状况，这时栅极就算没有触发脉冲电路因为正反馈的效果将坚持道通状况不变。假如此刻在阳极和阴极加上反向电压，因为BG1和BG2均处于反向偏置状况所以电路很快截止，别的假如加大负载电阻RL的阻值使电路电流削减BG1和BG2的基电流也将削减，当削减到某一个值时因为电路的正反馈效果，电路将很快从道通状况翻转为截止状况，咱们称这个电流为保持电流。在实践运用中，咱们可通过一个开关来短路可控硅的阳极和阴极然后到达可控硅的关断。
