作为作业于开关状况的能量转化设备，开关电源的电压、电流改动率很高，发生的搅扰强度较大；搅扰源首要会集在功率开关期间以及与之相连的散热器和高平变压器，相关于数字电路搅扰源的方位较为清楚；开关频率不高（从几十千赫和数兆赫兹），首要的搅扰方式是传导搅扰和近场搅扰；而印刷线路板（PCB）走线一般选用手艺布线，具有更大的随意性，这添加了PCB散布参数的提取和近场搅扰估量的难度。
详细各个频率点超支处理方案如下：
1MHz以内：
以差模搅扰为主1.增大X电容量；2.添加差模电感；3.小功率电源可选用PI型滤波器处理（主张接近变压器的电解电容可选用较大些）。
1M-5MHz：
差模共模混合，选用输入端并一系列X电容来滤除差摸搅扰并分分出是哪种搅扰超支并处理；
5MHz：
以上以共摸搅扰为主，选用按捺共摸的办法。关于外壳接地的，在地线上用一个磁盘绕2圈会对10MHZ以上搅扰有较大的衰减（diudiu2006）;关于 25–30MHZ不过能够选用加大对地Y电容、在变压器外面包铜皮、改动PCBLAYOUT、输出线前面接一个双线并绕的小磁环，最少绕10圈、在输出整流管两头并RC滤波器。
1M-5MHZ：
差模共模混合，选用输入端并联一系列X电容来滤除差摸搅扰并分分出是哪种搅扰超支并以处理，1.关于差模搅扰超支可调整X电容量，添加差模电感器，调差模电感量;2.关于共模搅扰超支可添加共模电感，选用合理的电感量来按捺；3.也可改动整流二极管特性来处理一对快速二极管如FR107一对一般整流二极管 1N4007。
5MHz以上：
以共摸搅扰为主，选用按捺共摸的办法。
关于外壳接地的，在地线上用一个磁环串绕2-3圈会对10MHZ以上搅扰有较大的衰减作用;可选择紧贴变压器的铁芯粘铜箔，铜箔闭环。处理后端输出整流管的吸收电路和初级大电路并联电容的巨细。
关于20M-30MHz：
1.关于一类产品能够选用调整对地Y2电容量或改动Y2电容方位；
2.调整一二次侧间的Y1电容方位及参数值；
3.在变压器外面包铜箔；变压器最里层加屏蔽层；调整变压器的各绕组的排布。
4.改动PCB Layout；
5.输出线前面接一个双线并绕的小共模电感；
6.在输出整流管两头并联RC滤波器且调整合理的参数；
7.在变压器与MOSFET之间加BEADCORE；
8.在变压器的输入电压脚加一个小电容。
9.能够用增大MOS驱动电阻。
30M-50MHz：
1.遍及是MOS管高速注册关断引起，能够用增大MOS驱动电阻，RCD缓冲电路选用1N4007慢管，VCC供电电压用1N4007慢管来处理。
2.RCD缓冲电路选用1N4007慢管；
3.VCC供电电压用1N4007慢管来处理；
4.或许输出线前端串接一个双线并绕的小共模电感；
5.在MOSFET的D-S脚并联一个小吸收电路；
6.在变压器与MOSFET之间加BEADCORE；
7.在变压器的输入电压脚加一个小电容；
8.PCB LAYOUT时大电解电容，变压器，MOS构成的电路环尽可能的小；
9.变压器，输出二极管，输出平波电解电容构成的电路环尽可能的小。
50M-100MHZ：
遍及是输出整流管反向恢复电流引起，
1.能够在整流管上串磁珠；
2.调整输出整流管的吸收电路参数；
3.可改动一二次侧跨接Y电容支路的阻抗，如PIN脚处加BEADCORE或串接恰当的电阻；
4.也可改动MOSFET，输出整流二极管的本体向空间的辐射（如铁夹卡MOSFET;铁夹卡DIODE，改动散热器的接地址）。
5.添加屏蔽铜箔按捺向空间辐射。
100M-200MHz：
遍及是输出整流管反向恢复电流引起，能够在整流管上串磁珠100MHz-200MHz之间大部分出于PFCMOSFET及PFC二极管，现在MOSFET及PFC二极管串磁珠有作用，水平方向根本能够处理问题，但笔直方向就很无法了。
开关电源的辐射一般只会影响到100M以下的频段。也能够在MOS，二极管上加相应吸收回路，但功率会有所下降。
200MHz以上：
开关电源已根本辐射量很小，一般可过EMI规范。
