在您的电源中很简单找到作为寄生元件的100fF电容器。您有必要理解，只要处理好它们才干取得契合EMI标准的电源。
从开关节点到输入引线的少数寄生电容(100 毫轻轻法拉)会让您无法满意电磁搅扰(EMI)需求。那100fF电容器是什么姿态的呢?在Digi-Key中，这种电容器不多。即便有，它们也会因寄生问题而供给广泛的容差。
不过，在您的电源中很简单找到作为寄生元件的100fF电容器。只要处理好它们才干取得契合EMI标准的电源。
图1是这些非方案中电容的一个实例。图中的右侧是一个笔直装置的FET，所带的开关节点与钳位电路延伸至了图片的顶部。输入衔接从左边进入，抵达距漏极衔接1cm以内的方位。这便是毛病点，在这里FET的开关电压波形能够绕过EMI滤波器耦合至输入。
图1.开关节点与输入衔接接近，会下降EMI功能
留意，漏极衔接与输入引线之间有一些由输入电容器供给的屏蔽。该电容器的外壳衔接至主接地，可为共模电流供给回来主接地的途径。如图2所示，这个细小的电容会导致电源EMI签名超出标准要求。
图2.寄生漏极电容导致超出标准要求的EMI性能
这是一条令人重视的曲线，由于它反映出了几个问题：显着超出了标准要求的较低频率辐射、共模问题一般很显着的1MHz至2MHz组件，以及较高频率组件的衰减正弦(x)/x散布。
需求采纳办法让辐射不超出标准。咱们使用通用电容公式将其下降了：
C = ε • A/d
咱们无法改动电容率(ε)，并且面积(A)也已经是最小的了。不过，咱们能够改动间隔(d)。如图3所示，咱们将组件与输入的间隔延长了3倍。最终，咱们选用较大接地层添加了屏蔽。
图3.这个修改后的布局不只可添加间隔，并且还可带来屏蔽功能
图4是修改后的效果图。咱们在毛病点方位为EMI标准取得了大约6dB的裕量。此外，咱们还明显减少了整体EMI 签名。所有这些改进都只是是由于布局的调整，并未改动电路。如果您的电路具有高电压开关并使用了屏蔽间隔，您需求十分小心肠对其进行操控。
图4.EMI性能经过屏蔽及添加的间隔得到了改进
总归，来自离线开关电源开关节点的100fF电容会导致超出标准要求的EMI签名。这种%&&&&&%量只需寄生元件便可轻松完成，例如对漏极衔接进行路由，使其接近输入引线。一般可经过改进间隔或屏蔽来处理该问题。要想取得更大衰减，需求添加滤波或减缓电路波形。
