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TQ2440之nand flash读写

2020年9月18日 14:45 阅读(346)

自己写的一个nandflash读写。#include2440addr.h#includedef.h#includeNand.hS8ECCBuf[6];U32PCLK;externvoidPort_In

自己写的一个nand flash读写。

#include”2440addr.h”
#include”def.h”
#include”Nand.h”
S8 ECCBuf[6];
U32 PCLK;
extern void Port_Init(void);//以下四个函数在2440lib.c中
extern void Uart_Select(int ch);
extern void Uart_Init(int pclk,int baud);
extern void Uart_Printf(char *fmt,…);
extern void rNF_Reset();//以下三个函数在nand.c中
extern void rNF_Init(void);
extern char rNF_ReadID();
void delay(U32 time)
{
U32 i,j;
for(i=0;i
for(j=0;j<1000;j++)
;
}
U8 rNF_RamdomRead(U32 page_number, U32 add)
{
NF_nFCE_L(); //翻开Nand Flash片选
NF_CLEAR_RB(); //清RnB信号
NF_CMD(CMD_READ1); //页读指令周期1
//写入5个地址周期
NF_ADDR(0x00); //列地址A0~A7
NF_ADDR(0x00); //列地址A8~A11
NF_ADDR((page_number) & 0xff); //行地址A12~A19
NF_ADDR((page_number >> 8) & 0xff); //行地址A20~A27
NF_ADDR((page_number >> 16) & 0xff); //行地址A28
NF_CMD(CMD_READ2); //页读指令周期2
NF_DETECT_RB(); //等候RnB信号变高，即不忙
NF_CMD(CMD_RANDOMREAD1); //随意读指令周期1
//页内地址
NF_ADDR((char)(add&0xff)); //列地址A0~A7
NF_ADDR((char)((add>>8)&0x0f)); //列地址A8~A11
NF_CMD(CMD_RANDOMREAD2); //随意读指令周期2
return NF_RDDATA8(); //读取数据
}
U8 rNF_RamdomWrite(U32 page_number, U32 add, U8 dat)
{
U8 stat;
NF_nFCE_L(); //翻开Nand Flash片选
NF_CLEAR_RB(); //清RnB信号
NF_CMD(CMD_WRITE1); //页写指令周期1
//写入5个地址周期
NF_ADDR(0x00); //列地址A0~A7
NF_ADDR(0x00); //列地址A8~A11
NF_ADDR((page_number) & 0xff); //行地址A12~A19
NF_ADDR((page_number >> 8) & 0xff); //行地址A20~A27
NF_ADDR((page_number >> 16) & 0xff); //行地址A28
NF_CMD(CMD_RANDOMWRITE); //随意写指令
//页内地址
NF_ADDR((char)(add&0xff)); //列地址A0~A7
NF_ADDR((char)((add>>8)&0x0f)); //列地址A8~A11
NF_WRDATA8(dat); //写入数据
NF_CMD(CMD_WRITE2); //页写指令周期2
delay(1000); //延时一段时间
NF_CMD(CMD_STATUS); //读状况指令
//判别状况值的第6位是否为1，即是否在忙，该句子的效果与NF_DETECT_RB();相同
do{
stat = NF_RDDATA8();
}while(!(stat&0x40));
NF_nFCE_H(); //封闭Nand Flash片选
//判别状况值的第0位是否为0，为0则写操作正确，不然过错
if (stat & 0x1)
return 0x44; //失利
else
return 0x66; //成功
}
U8 rNF_IsBadBlock(U32 block)
{
return rNF_RamdomRead(block*64, 2054);
}
U8 rNF_MarkBadBlock(U32 block)
{
U8 result;
result = rNF_RamdomWrite(block*64, 2054, 0x33);
if(result == 0x44)
return 0x21; //写坏块标示失利
else
return 0x60; //写坏块标示成功
}
U8 rNF_EraseBlock(U32 block_number)
{
char stat, temp;
temp = rNF_IsBadBlock(block_number); //判别该块是否为坏块
if(temp == 0x33)
return 0x42; //是坏块，回来
NF_nFCE_L(); //翻开片选
NF_CLEAR_RB(); //清RnB信号
NF_CMD(CMD_ERASE1); //擦除指令周期1
//写入3个地址周期，从A18开端写起
NF_ADDR((block_number << 6) & 0xff); //行地址A18~A19
NF_ADDR((block_number >> 2) & 0xff); //行地址A20~A27
NF_ADDR((block_number >> 10) & 0xff); //行地址A28
NF_CMD(CMD_ERASE2); //擦除指令周期2
delay(100); //延时一段时间
NF_CMD(CMD_STATUS); //读状况指令
//判别状况值的第6位是否为1，即是否在忙，该句子的效果与NF_DETECT_RB();相同
NF_DETECT_RB();
NF_nFCE_H(); //封闭Nand Flash片选
//判别状况值的第0位是否为0，为0则擦除操作正确，不然过错
if (stat & 0x1)
{
temp = rNF_MarkBadBlock(block_number); //标示该块为坏块
if (temp == 0x21)
return 0x43; //标示坏块失利
else
return 0x44; //擦除操作失利
}
else
return 0x66; //擦除操作成功
}
U8 rNF_WritePage(U32 page_number,S8 mydata)
{
U32 i, mecc0, secc;
U8 stat, temp;
temp = rNF_IsBadBlock(page_number>>6); //判别该块是否为坏块
if(temp == 0x33)
return 0x42; //是坏块，回来
NF_RSTECC(); //复位ECC
NF_MECC_UnLock(); //解锁main区的ECC
NF_nFCE_L(); //翻开nandflash片选
NF_CLEAR_RB(); //清RnB信号
NF_CMD(CMD_WRITE1); //页写指令周期1
//写入5个地址周期
NF_ADDR(0x00); //列地址A0~A7
NF_ADDR(0x00); //列地址A8~A11
NF_ADDR((page_number) & 0xff); //行地址A12~A19
NF_ADDR((page_number >> 8) & 0xff); //行地址A20~A27
NF_ADDR((page_number >> 16) & 0xff); //行地址A28
for (i = 0; i < 2048; i++)//写入一页数据
{
NF_WRDATA8(mydata);
i += 6;
Uart_Printf(“\n test %s”,mydata);
}
NF_MECC_Lock(); //确定main区的ECC值
mecc0=rNFMECC0; //读取main区的ECC校验码
//把ECC校验码由字型转换为字节型，并保存到全局变量数组ECCBuf中
ECCBuf[0]=(U8)(mecc0&0xff);
ECCBuf[1]=(U8)((mecc0>>8) & 0xff);
ECCBuf[2]=(U8)((mecc0>>16) & 0xff);
ECCBuf[3]=(U8)((mecc0>>24) & 0xff);
NF_SECC_UnLock(); //解锁spare区的ECC
//把main区的ECC值写入到spare区的前4个字节地址内，即第2048~2051地址
for(i=0;i<4;i++)
{
NF_WRDATA8(ECCBuf[i]);
}
NF_SECC_Lock(); //确定spare区的ECC值
secc=rNFSECC; //读取spare区的ECC校验码
//把ECC校验码保存到全局变量数组ECCBuf中
ECCBuf[4]=(U8)(secc&0xff);
ECCBuf[5]=(U8)((secc>>8) & 0xff);
//把spare区的ECC值持续写入到spare区的第2052~2053地址内
for(i=4;i<6;i++)
{
NF_WRDATA8(ECCBuf[i]);
}
NF_CMD(CMD_WRITE2); //页写指令周期2
delay(1000); //延时一段时间，以等候写操作完结
NF_CMD(CMD_STATUS); //读状况指令
//判别状况值的第6位是否为1，即是否在忙，该句子的效果与NF_DETECT_RB();相同
do{
stat = NF_RDDATA8();
}while(!(stat&0x40));
NF_nFCE_H(); //封闭Nand Flash片选
//判别状况值的第0位是否为0，为0则写操作正确，不然过错
if (stat & 0x1)
{
temp = rNF_MarkBadBlock(page_number>>6);//标示该页地点的块为坏块
if (temp == 0x21)
return 0x43; //标示坏块失利
else
return 0x44; //写操作失利
}
else
return 0x66; //写操作成功
}
U8 rNF_ReadPage( U32 page_number)
{
U32 i, mecc0, secc;
S8 buf[2048];
NF_RSTECC(); //复位ECC
NF_MECC_UnLock(); //解锁main区ECC
NF_nFCE_L();//使能芯片
NF_CLEAR_RB();//铲除RnB
NF_CMD(CMD_READ1); //页读指令周期1，0x00
//写入5个地址周期
NF_ADDR(0x00); //列地址A0-A7
NF_ADDR(0x00); //列地址A8-A11
NF_ADDR((page_number) & 0xff); //行地址A12-A19
NF_ADDR((page_number >> 8) & 0xff); //行地址A20-A27
NF_ADDR((page_number >> 16) & 0xff); //行地址A28
NF_CMD(CMD_READ2); //页读指令周期2，0x30
NF_DETECT_RB(); ////等候RnB信号变高，即不忙
for (i = 0; i < 2048; i++)
{
buf[i] = NF_RDDATA8();//读取一页数据内容
Uart_Printf(“%s”,buf[i]);
}
NF_MECC_Lock(); //确定main区ECC值
NF_SECC_UnLock(); //解锁spare区ECC
mecc0=NF_RDDATA(); //读spare区的前4个地址内容，即第2048~2051地址，这4个字节为main区的ECC
//把读取到的main区的ECC校验码放入NFMECCD0/1的相应方位内
rNFMECCD0=((mecc0&0xff00)<<8)|(mecc0&0xff);
rNFMECCD1=((mecc0&0xff000000)>>8)|((mecc0&0xff0000)>>16);
NF_SECC_Lock(); //确定spare区的ECC值
secc=NF_RDDATA(); //持续读spare区的4个地址内容，即第2052~2055地址，其间前2个字节为spare区的ECC值
//把读取到的spare区的ECC校验码放入NFSECCD的相应方位内
rNFSECCD=((secc&0xff00)<<8)|(secc&0xff);
NF_nFCE_H(); //封闭nandflash片选
//判别所读取到的数据是否正确
if((rNFESTAT0 & 0xf) == 0x0)
return 0x66; //正确
else
return 0x44; //过错
}
void Main(void)
{
S8 myid;
S8 *str = “BERLIN”;
Port_Init();
Uart_Select(0);
Uart_Init(50000000,115200);//初始化串口
Uart_Printf(“\n\nWelcome to test nand flash!\n”);
delay(100);
Uart_Printf(“Now begin to init the nand flash\n”);
rNF_Init();//初始化nand flash
Uart_Printf(“Complete\n”);
delay(100);
Uart_Printf(“Now begin to reset\n”);
rNF_Reset();//复位
Uart_Printf(“Complete\n”);
delay(100);
Uart_Printf(“Now begin to read ID\n”);
myid=rNF_ReadID();//读ID
Uart_Printf(“The ID is %s \n”,myid);
delay(100);
Uart_Printf(“Now begin to erase the nand flash\n”);
rNF_EraseBlock(0);
Uart_Printf(“Complete\n”);//擦除块
delay(100);
Uart_Printf(“Now begin to write data to nand flash\n”);
rNF_WritePage(0,*str);
Uart_Printf(“Write Complete!\n”);//写页
delay(100);
Uart_Printf(“Now begin to read nand flash\n”);
rNF_ReadPage(0);
Uart_Printf(“Complete”);//读页打印在串口
}

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