1、每组 VDD、VSS 管脚间并一个 100nF 电容，间隔管脚越近越好；VDD3 需求加并一个 4.7μF 电容。
2、VDDA、VSSA 之间并一个 10nF 电容 加 1μF 电容；VREF±间运用相同方法。
3、在上电和正常操作期间，VDD和VDDA之间最多答应有300mV的不同(3.3V出两路，一路供 VDD，别的一路过基准供 VDDA，只需电压差小于 300mV 就能够)；VREF+ 最小值 2.4V，最大值 VDDA
4、关于复位：当VDD/VDDA低于指定的限位电压VPOR/VPDR时，体系坚持为复位状况，无需外部复位电路。NRST 脚内部弱上拉(30~50kΩ)，和 VDD(不是VDDA) 相连。主张的引脚维护：运用 1μF 电容和地相连。
5、RTC 晶振挑选：负载电容是 6p 的晶振！价格要贵些，没办法，只能用这个，不然不是不起振，便是误差大，要么略微有点搅扰就停振。STM32 的 RTC 其实很安稳，没有任何问题，但要选对了晶振。串联的电容有公式，负载电容 CL 由下式核算：CL = CL1 x CL2 / (CL1 + CL2) + Cstray，其间 Cstray 是引脚的电容和 PCB 板或 PCB 相关的电容，它的典型值是介于2pF至7pF之间。CL1 和 CL2 一般选两个 10p 的。
6、电池备份区：手册上清晰写明：当VDD断电时，能够保存备份寄存器的内容和坚持RTC的功用。在VDD上升阶段(tRSTTEMPO)或许探测到PVD之后，VBAT和VDD之间的电源开关仍会坚持衔接在VBAT。在VDD上升阶段，假如VDD在小于tRSTTEMPO的时间内到达安稳状况(关于tRSTTEMPO可参阅数据手册中的相关部分)，且VDD > VBAT + 0.6V时，电流或许经过VDD和VBAT之间的内部二极管注入到VBAT。
假如与VBAT衔接的电源或许电池不能接受这样的注入电流，强烈主张在外部VBAT和电源之间衔接一个低压降二极管。假如在使用中没有外部电池，主张VBAT在外部经过一个100nF的陶瓷电容与VDD相连。
