磁阻式随机存取回忆体(MRAM)或许在许多使用范畴有替代 DRAM 与 SRAM 的潜力，但就连商场上仅有家出产这种非蒸发性回忆体的供给商都以为，这种替代的进程得花上好一段时间。
一份来自材料贮存工业参谋安排 Coughlin Associates的陈述指出，全球 MRAM 商场复合年生长率(CAGR)可达50%，包含MARM与STT-MRAM在内的全体商场营收将由 2013年的1.9亿美元，在2019年到达21亿美元。
Coughlin Associates创办人Tom Coughlin表明，MRAM一个最明显的优势是能与CMOS制程相容，此外因为该制程技能老练，相关的整合与 3D NAND 技能比起来比较不那么令人止步。他指出，MRAM技能的演进或许会跟随快闪回忆体的脚步──也就是在被广泛选用以及价格下降、贮存密度提高之前，先在一些利基型使用范畴赢得喜爱。
Coughlin并指出，STT (Spin-Torque-Transfer，自旋力矩搬运)-MRAM特别能供给在读取/写入以及耐久性方面的优势。而Gartner分析师Brady Wang则表明，MRAM被发现用来做为固态硬碟(SSD)的快取回忆体，但其密度依然太低，一般使用在工业范畴。
MRAM胜过DRAM的优势在于其非蒸发性;Wang表明，，就像NOR或NAND快闪回忆体相同，STT-MRAM能在没有继续外部供电的情况下保存材料，并且其耗电量很低。此外因为结构简略，MRAM的扩展性也优于SRAM，能提高微缩程度并可望进一步下降制作本钱。
而Wang也指出，与NAND快闪回忆体相较，STT-MRAM能在没有中心的抹除过程情况下，在贮存0与1之间切换;而该抹除过程在快闪回忆体内是不行少的，也增加了写入推迟。这使得规划STT-MRAM操控晶片相比照规划NAND快闪回忆体操控晶片简略许多。
Wang表明，现在商场上仅有出产MRAM晶片的厂商是Everspin Technologies，现在产品最大回忆体容量为64Mb;而128Mb乃至1Gb的MRAM或许会在未来两年内面世，其间1Gb产品将可望让MARM进军消费性使用。
Everspin产品行销总监Joe O’Hare表明，其MRAM产品(该公司在5年多前就开端推出)，一开端使用在工业范畴;而Everspin也已看到包含工业自动化、机器人、交通运输以及医疗等使用范畴对MRAM的广泛选用。不过MRAM最大的生长动力是来自企业贮存。
跟着容量提高，Everspin将MRAM视为非蒸发性回忆体取得进一步选用的桥梁，在能供给比美DRAM的功能一起，也能有更多像快闪回忆体相同的贮存回忆体。O’Hare表明，跟着各种新式技能出炉，MRAM可望成为永久性、高功能贮存技能的要害选项。
MRAM在企业贮存范畴的使用事例之一是RAID体系，O’Hare指出，这类使用的考量是要在电力丧失时敏捷恢复;MRAM被使用于贮存元材料 (metadata)以及贮存体系材料，因而假如电力中止，体系资讯仍能被保存在非蒸发性MRAM，让RAID体系能更快自我重建。
O’Hare也表明，Everspin还看到MRAM在其他企业贮存范畴的许多使用，那些使用不需要DRAM的容量密度，但可使用非蒸发性回忆体的优势;这个商场的规划很够重量，并且并不是以价格来竞赛，体系的牢靠度才是重要推手。
不过Objective Analysis首席分析师Jim Handy 表明，终究价格与容量密度才是决议MRAM是否能大规划替代DRAM 或SRAM的要害，尽管其低功耗特性很吸引人，但大多数企业安排并不会去做那样的全体具有本钱(TCO)预算;MRAM能在某些使用范畴替代SRAM，以革除很简单呈现毛病的备用电池需求。
Handy指出，垂青MRAM非蒸发特性的工业(例如将其使用在ATM的金融业)，会愿意为这种回忆体支付较高的价值;但是在现在，DRAM与快闪回忆体调配各自的技能演进，仍扮演胜任的人物，因而并没有当即性的理由被替代。
