从电路来说，总是存在驱动的源和被驱动的负载。假如负载电容比较大，驱动电路要把电容充电、放电，才干完结信号的跳变，在上升沿比较峻峭的时分，电流比较大，这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流，由于电路中的电感，电阻（特别是芯片管脚上的电感，会发生反弹），这种电流相关于正常状况来说实践上便是一种噪声，会影响前级的正常作业。这便是耦合。
去藕电容便是起到一个电池的效果，满意驱动电路电流的改变，避免相互间的耦合搅扰。
旁路电容实践也是去藕合的，仅仅旁路电容一般是指高频旁路，也便是给高频的开关噪声进步一条低阻抗泄防途径。高频旁路电容一般比较小，依据谐振频率一般是0.1u，0.01u等，而去耦合电容一般比较大，是10u或许更大，依据电路中散布参数，以及驱动电流的改变巨细来确认。
旁路是把输入信号中的搅扰作为滤除目标，而去耦是把输出信号的搅扰作为滤除目标，避免搅扰信号回来电源。这应该是他们的本质区别。
怎么挑选耦合电容和旁路电容的参数
咱们知道，电容越大，储能越大，可他的时刻参数也就越大，在低频扩大电路中，耦合电容一起还要考虑到一个“信号耦合量”的问题，即经过电容的沟通信号的“流量”，所以一般都挑选的比较大，但太大的耦合电容由于它的时刻常数大，高频信号通不过，也会引起输出波形畸变或使扩大电路发生“饱满失真”，在高频电路中一般都是扩大高频电压信号，所以耦合电容一般获得小，有时几PF就够了。
旁路电容在扩大电路中是作为沟通信号的通道用，也是依据信号所经过的时刻和“流量”来挑选的，低频扩大电路的旁路电容一般都挑选得较大，几万PF、几千PF或几百PF。高频电路挑选得比较小，几十或几PF就够了。
举个列子，一个选用集电极输出的共基极音频电压扩大电路，要求直接推进电流扩大电路，电压扩大管的射极旁路电容可取4700PF，集电极输出耦合电容可取到20微法。假如这个电路只做中频电压扩大，射极旁路电容取470PF就够了，集电极耦合输出0.1微法就够了。
为什么低频要考虑耦合电容的影响
我以为关于“高频要考虑极间电容，低频考虑耦合电容”是针对信号的失真与否来说的。引证《模仿电子技术根本教程》里的一段文字：”在扩大电路中，由于耦合电容关于频率足够高的信号相当于短路，使信号简直无丢失地经过；而关于低频信号的容抗不行疏忽，形成信号的丢失；因此对信号构成了高通电路。与耦合电容相反，由于半导体管极间电容关于低频信号的容抗很大，相当于开路；而当信号频率高到必定程度时，极间电容将分流，导致信号的丢失；因此，对信号构成了低通通路。“所以我概括为：关于“高频要考虑极间电容，低频考虑耦合电容”是针对信号的失真与否来说的。
由于电容的容抗与频率成反比，即频率越低，容抗越大，这导致耦合电容阻止低频信号的经过。
