电力晶体管的详细资料
目录
电力晶体管简介
电力晶体管的结构
电力晶体管作业原理
电力晶体管特色
电力晶体管的根本特性
电力晶体管的首要参数
电力晶体管的驱动与维护
电力晶体管电路剖析
电力晶体管简介
电力晶体管按英文Giant Transistor直译为巨型晶体管,是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管(Bipolar JuncTIon Transistor—BJT),所以有时也称为Power BJT;其特性有:耐压高,电流大,开关特性好,但驱动电路杂乱,驱动功率大;GTR和一般双极结型晶体管的作业原理是相同的。GTR是一种电流操控的双极双结大功率、高反压电力电子器材,具有自关断才能,发作于本世纪70年代,其额定值已达1800V/800A/2kHz、1400v/600A/5kHz、600V/3A/100kHz。它既具有晶体管饱满压下降、开关时刻短和安全作业区宽等固有特性,又增大了功率容量,因而,由它所组成的电路灵敏、老练、开关损耗小、开关时刻短,在电源、电机操控、通用逆变器等中等容量、中等频率的电路中运用广泛。GTR的缺陷是驱动电流较大、耐浪涌电流才能差、易受二次击穿而损坏。在开关电源和UPS内,GTR正逐渐被功率MOSFET和IGBT所替代。它的符号如图1,和一般的NPN晶体管相同。
电力晶体管的结构
电力晶体管(Giant Transistor)简称GTR,结构和作业原理都和小功率晶体管十分类似。GTR由三层半导体、两个PN结组成。和小功率三极管相同,有PNP和NPN两种类型,GTR一般多用NPN结构。
[修改本段]电力晶体管作业原理
在电力电子技术中,GTR首要作业在开关状况。GTR一般作业在正偏(Ib>0)时大电流导通;反偏(Ib<0=时处于截止状况。因而,给GTR的基极施加起伏满足大的脉冲驱动信号,它将作业于导通和截止的开关状况。
[修改本段]电力晶体管特色
l 输出电压
能够选用脉宽调制办法,故输出电压为幅值等于直流电压的强脉冲序列。
2 载波频率
因为电力晶体管的注册和关断时刻较长,故答应的载波频率较低,大部分变频器的上限载波频率约为1.2~1.5kHz左右。
3 电流波形
因为载波频率较低,故电流的高次谐波成分较大。这些高次谐波电流将在硅钢片中构成涡流,并使硅钢片相互间因发作电磁力而振荡,并发作噪音。又因为载波频率处于人耳对声响较为灵敏的区域,故电动机的电磁噪音较强。
4 输出转矩
因为电流中高次谐波的成分较大,故在50Hz时,电动机轴上的输出转矩与工频运转时比较,略有减小。
[修改本段]电力晶体管的根本特性
(1)静态特性
共发射极接法时可分为三个作业区:
① 截止区。在截止区内,iB≤0,uBE≤0,uBC<0,集电极只要漏电流流过。
② 放大区。iB >0,uBE>0,uBC<0,iC =βiB。
③ 饱满区。iB >Ics/β,uBE>0,uBC>0,iCS是集电极饱满电流,其值由外电路决议。
定论:两个PN结都为正向偏置是饱满的特征。饱满时,集电极、发射极间的管压降uCE很小,相当于开关接通,这时虽然电流很大,但损耗并不大。GTR刚进入饱满时为临界饱满,如iB持续添加,则为过饱满,用作开关时,应作业在深度饱满状况,这有利于下降uCE和减小导通时的损耗。
(2)动态特性
图4-8 GTR共发射极接法的输出特性
GTR在关断时漏电流很小,导通时饱满压降很小。因而,GTR在导通和关断状况下损耗都很小,但在关断和导通的转化进程中,电流和电压都较大,所以开关进程中损耗也较大。当开关频率较高时,开关损耗是总损耗的首要部分。因而,缩短注册和关断时刻对下降损耗、进步功率和进步运转可靠性很有含义。
[修改本段]电力晶体管的首要参数
(1)最高作业电压
(2)集电极最大答应电流ICM
(3)集电极最大答应耗散功率PCM
(4)最高作业结温TJM
二次击穿和安全作业区
(1)二次击穿
二次击穿是影响GTR安全可靠作业的一个重要因素。二次击穿是因为集电极电压升高到必定值(未到达极限值)时,发作雪崩效应形成的。避免二次击穿的办法是:①应使实际运用的作业电压比反向击穿电压低得多。②必须有电压电流缓冲维护措施。
(2)安全作业区
以直流极限参数ICM、PCM、UCEM构成的作业区为一次击穿作业区,以USB (二次击穿电压)与ISB (二次击穿电流)组成的PSB (二次击穿功率)是一个不等功率曲线。为了避免二次击穿,要选用满足大功率的GTR,实际运用的最高电压一般比GTR的极限电压低许多。
图4-10 GTR安全作业区
图4-11 GTR基极驱动电流波形
[修改本段]电力晶体管的驱动与维护
1.GTR基极驱动电路
(1)对基极驱动电路的要求
①完成主电路与操控电路间的电阻隔。
②导通时,基极正向驱动电流应有满足陡的前沿,并有必定起伏的强制电流,以加速注册进程,减小注册损耗。
③GTR导通期,基极电流都应使GTR处在临界饱满状况,这样既可下降导通饱满压降,又可缩短关断时刻。
④在使GTR关断时,应向基极供给满足大的反向基极电流,以加速关断速度,减小关断损耗。
⑤应有较强的抗干扰才能,并有必定的维护功用。
(2)基极驱动电路
图4-12 有用的GTR驱动电路
2.集成化驱动
集成化驱动电路克服了一般电路元件多、电路杂乱、稳定性差和运用不方便的缺陷,还添加了维护功用。
3.GTR的维护电路
开关频率较高,选用快熔维护是无效的。一般选用缓冲电路。首要有RC缓冲电路、充放电型R、C、VD缓冲电路和阻挠放电型R、C、VD缓冲电路三种办法,如图4-13所示。
a) b) c)
图4-13 GTR的缓冲电路
图4-13a所示RC缓冲电路只适用于小容量的GTR(电流10 A以下)。图4-13b所示充放电型R、C、VD缓冲电路用于大容量的GTR。图4-13c所示阻挠放电型R、C、VD缓冲电路,较常用于大容量GTR和高频开关电路,其最大长处是缓冲发作的损耗小。
力晶体管电路剖析
图6-21所示为三相桥式PWM逆变电路,功率开关器材为GTR,负载为电理性。从电路结构上看,三相桥式PWM变频电路只能选用双极性操控办法,其作业原理如下:
三相调制信号urU、urV和urW为相位顺次相差120°的正弦波,而三相载波信号是共用一个正负方向改变的三角形波uc,如图6-23所示。U、V和W相自关断开关器材的操控办法相同,现以U相为例:在urU>uc的各区间,给上桥臂电力晶体管V1以导通驱动信号,而给下桥臂V4以关断信号,所以U相输出电压相对直流电源Ud中性点N’为uUN’ =Ud/2。在urU<uc的各区间,给V1以关断信号,V4为导通信号,输出电压uUN’ =-Ud/2。电路中VD1~VD6二极管是为电理性负载换流进程供给续流回路,其它两相的操控原理与U相相同。三相桥式PWM变频电路的三相输出的PWM波形分别为uUN’、uVN’和uWN’。