最终，咱们来到了这个企图破解功率MOSFET数据表的“看懂MOSFET数据表”博客系列的收尾部分。在这个博客中，咱们将花时间看一看MOSFET数据表中呈现的某些其它混合开关参数，而且查看它们关于整体器材功能的相关性(或许与器材功能没什么联系)。
另一方面，比如FET固有体二极管的输出电荷 (QOSS) 和反向恢复电荷(Qrr) 等开关参数是形成许多高频电源运用中大部分FET开关损耗的关键因素。不好意思，我说的这些听起来有点儿前言不搭后语，不过规划人员在依据这些参数比较不同的FET时要当心，这是因为测验条件决议全部，工作往往是如此!
图1显现的是，在TICSD18531Q5A60V MOSFET的两个不同di/dt速率上测得的输出电荷和反向恢复电荷，这代表了一个事物的两个方面。在左边，Qrr在360A/µs时测得的值为85nC，在右边，2000A/µs时测得的值为146nC。尽管没有丈量部件的di/dt职业标准，但咱们现已发现，为了得到极地的Qrr，咱们的竞争对手将丈量时的di/dt速率调低至100 A/us。
图1：360A/µs(左边)和2000A/µs(右侧)时，在CSD18531Q5A上测得的Qrr和QOSS值。
Qrr乃至可以对测验履行性的二极管正向电流 (If) 具有更强的依靠联系。而进一步使工作复杂化的原因在于，某些厂商未将QOSS作为一个独自参数包括在内，而是只将这个参数吸收到Qrr的技能标准傍边。除了数据表中列出的测验条件，事实上，其它比如电路板寄生电感和片面丈量办法等考虑也使得比较独自厂商数据表中的这些参数变得不太可能。这并不是说这些参数关于规划不重要，而是为了阐明，要取得牢靠的比较数据，仅有有用的解决方案便是运用一般的办法和电路板对这些数据进行独立收集。
我在这个系列中即将说到的最终一个参数便是开关时间。这4个参数一般由下方图2中的波形界说，而且会呈现在每个厂商的数据表中。它们是如此地依靠于电路板和测验条件，以至于FET职业的一位元老级人物(也是个人导师)常常把这些参数引用为“FET数据表中最没用的参数”。原本是为了指示出开关速度，而实践上，因为这些参数是FET特性值，所以它们至多只反映出驱动器强度和漏电流。TI在器材的额定电流上进行测验时将这些参数包括在内，而其它厂商只在1A ID上测验这些参数，其意图在于使它们的器材看起来具有更快的开关速度。更能阐明器材实践开关速度的是器材的栅极电荷参数和内部栅极电阻，Rg，这两个参数简直不受这些技能指针距离 (specmanship) “游戏”的影响。
图2：界说MOSFET数据表开关时间的波形。
谢谢你花时间阅览了这个与MOSFET数据表有关的博客系列。我期望这些文章对你有所启示，在阅览之后可以更清楚地了解功率MOSFET数据表中呈现的参数值和含糊不清的当地。
