MOSFET/IGBT的开关损耗测验是电源调试中十分要害的环节，但许多工程师对开关损耗的丈量还停留在人工核算的理性认知上，PFC MOSFET的开关损耗更是只能根据口口相传的经历重复探索，那么该怎么量化评价呢?
1.1功率损耗的原理图和实测图
一般来说，开关管作业的功率损耗原理图如图 1所示，首要的能量损耗体现在“导通进程”和“封闭进程”，小部分能量体现在“导通状况”，而封闭状况的损耗很小简直为0，能够忽略不计。
图 1开关管作业的功率损耗原理图
实践的丈量波形图一般如图 2所示。
图 2开关管实践功率损耗测验
1.2MOSFET和PFC MOSFET的测验差异
关于一般MOS管来说，不同周期的电压和电流波形简直完全相同，因而全体功率损耗只需求恣意丈量一个周期即可。但关于PFC MOS管来说，不同周期的电压和电流波形都不相同，因而功率损耗的精确评价依靠较长时刻(一般大于10ms)，较高采样率(引荐1G采样率)的波形捕获，此刻需求的存储深度引荐在10M以上，而且要求一切原始数据(不能抽样)都要参加功率损耗核算，实测截图如图 3所示。
图 3 PFC MOSFET功率损耗实测截图
1.3MOSFET和PFC MOSFET的实测演示视频
开关损耗测验关于器材评价十分要害，经过示波器的电源剖析软件，能够快速有用的对器材的功率损耗进行评价，ZDS3000/4000系列示波器免费标配电源剖析软件。
