在一个体系中或在一个全体中，咱们往往界说了一些参考点，就像咱们常常说的海平面，在单片中也是如此，咱们不管说是高电平仍是低电平都是相对来说的。
在51单片机，没有衔接上拉电阻的P0口比较有上拉电阻的P1口在I/O口引脚和电源之间相连是经过一对推挽状况的FET来完成的，51详细结构如下图。
51结构图
组成推挽结构，从理论上讲是能够经过分配管子的参数轻松完成输出大电流，
进步带载才能，两个管子依据通断状况有四种不同的组合，上下管导通相当于把电源短路了，这种状况下在实践电路中肯定不能呈现，从逻辑电路上来讲，上管开-下管关开时IO与VCC直接相连，IO输出低电平0,这种结构下假如没有外接上拉电阻，输出0便是开漏状况(低阻态)，因为I/O引脚是经过一个管子接地的，并不是运用导线直接衔接，而一般的MOS在导通状况也会有mΩ极的导通电阻。
排阻
不管是低阻态仍是高阻态都是相对来说的，把下管子置于截止状况就能够把GND和I/O口阻隔到达开路的状况，这时候推挽一对管子是截止状况，疏忽读取逻辑的话I/O口引脚相当于与单片机内部电路开路，考虑到实践MOS截止时会有少量漏电流，就称作“高阻态”。
因为管子PN节带来的结电容的影响，有的材料也会称作“浮空”，经过I/O口给%&&&&&%充电需求必定的时刻，那么IO引脚处的对地的实在电压和水面浮标随波飘动相似了，电压的巨细不只与外界输入有关还和时刻有关，在高频状况下这种现象是不能疏忽的。
