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低功率纳米技能及其它灵敏器材的丈量技能及差错源 II

外部噪声源[1]通常是马达、电脑显示屏或其它电子设备产生的干扰信号。这些噪声可以通过屏蔽和滤波、去除或关断噪声源来得到控制。这些噪声[…

外部噪声源[1]一般是马达、电脑显示屏或其它电子设备发生的搅扰信号。这些噪声能够经过屏蔽和滤波、去除或关断噪声源来得到操控。这些噪声[2]源一般在电力线频率上,因此在进行确定丈量时,测验频率应避开60Hz(50Hz)的倍数或分数倍。在直流回转技能中,使得每次丈量都为电力线周期的整数倍来完成这一意图。

热电动势是由于电路的不同部分处在不同的温度下,以及不同资料的导体相互触摸而发生的。下降热电动势能够经过坚持一切导线处于同一温度下,并在或许的当地运用铜对铜的连接来完成。考虑到无法确保电路的每个部分都运用铜资料(测验目标自身一般也不是铜资料),所以一般会运用确定放大器技能、直流回转技能这样的丈量方法来下降热噪声。

测验引线电阻[3]也会在被测电阻中引进差错。为避免引线电阻影响丈量精度,应运用四线(Kelvin)法进行丈量。

1/f噪声[4]用来描绘低频下使幅值添加的任何噪声。具有这种特色的噪声在元件、测验电路以及测验仪器中都可看到。环境要素例如温度及湿度会引起这种噪声,或是标签上标明的“老化”及“漂移”等元件的化学进程也会引起这种噪声。能够经过电流、电压、温度或阻值改变等观察到1/f噪声。

经过以上评论咱们会将要点放在丈量体系中的1/f电压噪声上。由于一般测验目标或是测验电路中的元件遭到的搅扰以这种噪声为主。例如碳膜电阻首要表现出0.01%到0.3%的1/f阻值差错,而这种阻值差错关于金属薄膜和绕线电阻来说则是碳膜电阻的1/10,半导体的阻值差错则介于以上两种之间。

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