全球NAND Flash(贮存型快闪记忆体)供应生长继续大于需求，预估NAND Flash今年底报价将较上一年跌掉三成，且跌势恐将一向连续至2018年。
市调组织IHS iSuppli最新陈述猜测，NAND Flash今年底报价将跌至0.49美元每GB，远低于上一年的0.71美元，预估2018年将进一步跌至0.14美元，其间年复合生长率为负的28%。
NAND Flash产出过多是导致价格崩跌的主因，若以1 GB等量单位核算，IHS iSuppl估量，2018年NAND Flash产出将自2013年的355亿单位生长生长5.7倍至2,036亿单位，意料将掀起价格战。
据南韩联合通讯社(Yonhap)报道，三星斥资70亿美元在大陆西安设置的V-NAND Flash厂已在5月开端投产，至于在后追逐的东芝(Toshiba)最近也宣告了60亿美元V-NAND Flash的扩厂计划。
以NAND flash市占率来看，三星以37.4%居全球之首，东芝、美光与海力士(SK Hynix)依序分别为31.9%、20.1%与10.6%。
