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产品概况
LTC®3831-1 是一款专为 DDR 存储器终端而规划的高功率、高效率开关稳压控制器。LTC3831-1 可发生一个等于 1/2 外部电源或基准电压的输出电压。LTC3831-1 选用同步开关架构和 N 沟道 MOSFET。此外，该芯片还可经过上端 N 沟道 FET 的漏-源极电阻来检测输出电流，因此可以在无需运用电流检测电阻器的情况下供给一个可调电流限值。
LTC3831-1 可在输入电源电压低至 3V 的条件下运作，并具有一个 >91% 的最大占空比。该器材包含一个固定频率 PWM 振荡器，用于完成低输出纹波操作。300kHz 的自在运转时钟频率可从外部进行调理，或使用一个外部信号进行同步处理 (同步规模为 100kHz 至高于 500kHz)。在停机形式中，LTC3831-1 的电源电流降至 <10μA。
| Feedback Voltage | Accuracy Over Temp | |
| LTC3831 | 1.25V | 1.5% |
| LTC3831-1 | 0.75V | 1.6% |
使用
- DDR SDRAM 终端
- SSTL_2、SSTL_3 接口
- 高速收发逻辑 (HSTL) 接口
优势和特色
- VOUT低至 0.4V
- 用于 DDR 存储器终端的高功率开关稳压控制器
- VOUT盯梢 1/2 of VIN或外部VREF
- 无需电流检测电阻器
- 低 VCC 电源：3V 至 8V
- 在整个温度规模内的最大占空比 >91%
- 驱动全 N 沟道外部 MOSFET
- 高效率：达 95%
- 可编程固定频率操作：100kHz 至 500kHz
- 外部时钟同步操作
- 可编程软启动
- 低停机电流：<10μA
- 过热维护
- 选用 16 引脚窄体 SSOP 封装
LTC3831-1电路图
LTC3831-1中文PDF下载地址
LTC3831-1下载链接地址：https://www.analog.com/media/en/technical-documentation/data-sheets/38311f.pdf
