什么是mos管
mos管是金属（metal）—氧化物（oxide）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，或许称是金属—绝缘体（insulator）—半导体。MOS管的source和drain是能够对调的，他们都是在P型backgate中构成的N型区。在大都情况下，这个两个区是相同的，即便两头对调也不会影响器材的功能。这样的器材被认为是对称的。
双极型晶体管把输入端电流的细小改变扩大后，在输出端输出一个大的电流改变。双极型晶体管的增益就界说为输出输入电流之比（beta）。另一种晶体管，叫做场效应管（FET），把输入电压的改变转化为输出电流的改变。FET的增益等于它的transconductance， 界说为输出电流的改变和输入电压改变之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道，概况参阅右侧图片（N沟道耗尽型MOS管）。而P沟道常见的为低压mos管。
场效应管经过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流十分小。最一般的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体（MOS）晶体管，或，金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在许多运用场合替代了双极型晶体管。
mos管优势
1.可运用于扩大。因为场效应管扩大器的输入阻抗很高，因而耦合电容能够容量较小，不用运用电解电容器。
2.很高的输入阻抗十分适协作阻抗改换。常用于多级扩大器的输入级作阻抗改换。
3.能够用作可变电阻。
4.能够方便地用作恒流源。
5.能够用作电子开关。
6.在电路设计上的灵活性大。栅偏压可正可负可零，三极管只能在正向偏置下作业，电子管只能在负偏压下作业。别的输入阻抗高，能够减轻信号源负载，易于跟前级匹配。
MOS管结构原理图解
1、结构和符号（以N沟道增强型为例）
在一块浓度较低的P型硅上分散两个浓度较高的N型区作为漏极和源极，半导体外表掩盖二氧化硅绝缘层并引出一个电极作为栅极。
其他MOS管符号
2、作业原理（以N沟道增强型为例）
