发光二极管发光原理是什么?
LED发光二极管的结构及发光原理
50年前人们从半导体资料中了解到可发作光线的原理，第一个商用二极管发作于1960年。LED是英文light emitTIng diode（发光二极管）的缩写，它的根本结构是一块电致发光的半导体资料，置于一个有引线的架子上，然后四周用环氧树脂密封，起到维护内部芯线的效果，所以LED的抗震性能好。
发光二极管的中心部分是由p型半导体和n型半导体组成的晶片，在p型半导体和n型半导体之间有一个过渡层，称为p-n结。在某些半导体资料的PN结中，注入的少量载流子与大都载流子复合时会把剩余的能量以光的方式释放出来，从而把电能直接转换为光能。PN结加反向电压，少量载流子难以注入，故不发光。这种使用注入式电致发光原理制造的二极管叫发光二极管，通称LED。 当它处于正向作业状况时（即两头加上正向电压），电流从LED阳极流向阴极时，半导体晶体就宣布从紫外到红外不同色彩的光线，光的强弱与电流有关。
发光二极管发光原理相同可以用PN结的能带结构来解说。制造半导体发光二极管的资料是重掺杂的，热平衡状况下的N区有许多迁移率很高的电子，P区有较多的迁移率较低的空穴。因为PN结阻挡层的约束，在常态下，二者不能发作天然复合。，而当给PN结加以正向电压时，沟区导带中的电子则可逃过PN结的势垒进入到P区一侧。所以在PN结邻近稍偏于P区一边的当地，处于高能态的电子与空穴相遇时，便发作发光复合。这种发光复合所宣布的光归于自发辐射，辐射光的波长决定于资料的禁带宽度Eg，即 λ＝1.24μm?;eV/Eg
