隧道场效应晶体管（TFET）由于其独特的带带隧穿原理而成为超低功耗设计中有力的候选者。传统MOSFET在室温下的亚阈值摆幅因载流子漂移扩散工作原理而高于60mV/dec；而基于量子隧道效应的隧穿场效应