外延片rarr;清洗rarr;镀透明电极层rarr;透明电极图形光刻rarr;腐蚀rarr;去胶rarr;平台图形光刻rarr;干法刻蚀rarr;去胶rarr;退火rarr;SiO2沉
图形化工艺是要在晶圆内和表面层建立图形的一系列加工，这些图形根据集成电路中物理“部件”的要求来确定其尺寸和位置。图形化工艺还包括光刻、光掩模、掩模、去除氧化膜、去除金属膜和微光刻。图形化工艺是
用于高端逻辑半导体量产的EUV(ExtremeUltra-Violet，极紫外线光刻)曝光技术的未来蓝图逐渐“步入”我们的视野，从7nm阶段的技术节点到今年(2019年，也是从今年开始)，每
在集成电路的制造过程中，有一个重要的环节——光刻，正因为有了它，我们才能在微小的芯片上实现功能。现代刻划技术可以追溯到190年以前，1822年法国人Nicephoreniepce在各种材料光
引言随着半导体行业持续突破设计尺寸不断缩小的极限，极紫外 (EUV) 光刻技术的运用逐渐扩展到大规模生产环境中。对于 7 纳米及更小的高级节点，EUV 光刻技术是一种能够简化图案形成工艺的支持技术。要
一线式4通道逐次逼近式A/D转换器DS2450的性能特点和应用分析-DS2450的内部结构如图1所示。光刻ROM中的64位序列号是出厂前被光刻好的，它可以看作是该DS2450的地址序列码；64位光刻ROM的排列是：开始8位（20H）是产品类型标号，接着的48位是该DS2450自身的序列号，最后8位是前面56位的循环冗余校验码（CRC=X8＋X5＋X4＋1）。光刻ROM的作用是使每一个一线式器件的地址都各不相同，以便实现一根总线上挂接多个一线式电路。
本站为您提供的mems传感器现状_mems传感器制作工艺，MEMS技术基于已经是相当成熟的微电子技术、集成电路技术及其加工工艺。它与传统的IC工艺有许多相似之处，如光刻、薄膜沉积、掺杂、刻蚀、化学机械抛光工艺等，但是有些复杂的微结构难以用IC工艺实现，必须采用微加工技术制造。
