如何将MCU中部分函数运行于RAM中-MCU(如: 基于Cortex V6M 的Cortex M0+ 等) Code 通常运行在内嵌Flash 中。 在某些特定应用场合,需要将部分函数运行于RAM 中。
MCU将部分函数运行于RAM中解析-MCU(如: 基于Cortex V6M 的Cortex M0+ 等) Code 通常运行在内嵌Flash 中。 在某些特定应用场合,需要将部分函数运行于RAM 中。
基于LinkedInSTM32F4时钟系统初始化设置-SystemInit函数开始先进行浮点运算单元设置,然后是复位PLLCFGR,CFGR寄存器,同时通过设置 CR 寄存器的 HSI 时钟使能位来打开 HSI 时钟。
基于stm32单片机,FLASh先擦后写的函数分析案例-void FLASH_WriteByte(u32 addr ,u16 flashdata1)
{
FLASH_Status FLASHstatus = FLASH_COMPLETE;
FLASH_Unlock();//解锁FLASH编程擦除控制器
// FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR);//清除标志位
FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_BSY|FLASH_FLAG_EOP|FLASH_FLAG_PGERR|FLASH_FLAG_WRPRTERR);
/
基于S3C6410裸机程序中可能用到的函数分享-*函数:voidSetEINT_TriggerMode(u8EINT0_N,u8Trigger)
*功能:设置外部中断组0触发模式
*参数:EINT0_N:中断源的编号(见:中断组0编号定义);Trigger:触发模式(EXT_LowLevel:低电平触发;EXT_HighLevel:高电平触发;
EXT_NegEdge:下降沿触发;EXT_PosEdge:上升沿触发;EXT_Edge:边沿触发)
基于PIC单片机对全功能步进电机的控制设计-//适合3ePIC实验板。
#include //包含单片机内部资源预定义
#include
void delay(unsigned int endcount); //延时函数,延时为endcount*0.5毫秒
void run(); //步进电机运行控制函数
void stop(); //步进电机停止函数
基于STM32单片机流水灯控制中的GPIO_Init()函数解析-学习STM32时,首先要熟悉流水灯例程,在这里就来分析流水灯中的GPIO_Init()函数
例如:流水灯例程中使用的端口是macLED1_GPIO_PORT=GPIOB,
控制的引脚是GPIO_Pin_0,
引脚的模式是GPIO_Mode_Out_PP(通用推挽输出),
引脚的速率是GPIO_Speed_50MHz,
用到的寄存器是CRL
基于PIC16F630的I/O口对流水灯的控制-//看门狗关;内部RC振荡,RA4/RA5做I/O,MCLR脚做复位
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//延时函数
voiddelay()
{
inti;//定义循环变量
for(i=5000;i》0;i–)//循环次数控制
{
NOP();//消耗一个指令周期时间
NOP();
}
}
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