在本月6日至8日举办的IEDM2010旧金山大会上，Intel与镁光两家公司合作展示了其25nm NAND制程的细节，有趣的是，这种制程竟然会是首款将曾被IBM热捧的AirG
据港台媒体报道，全球非挥发性内存领导厂商旺宏电子宣布，由于制程技术研发成果顺利，其生产制造的NOR型闪存(NOR Flash Memory)，将跳过90纳米制程，
但是由于物理制程 / 制造方面的原因，导致 nor 和 nand 在一些具体操作方面的特性不同： 表1：Nand Flash 和 Nor Flash 的区别 1. 理论上是可以的，而且
产品概述基于 32 纳米制程技术的英特尔reg;酷睿trade; i7、英特尔reg;酷睿trade; i5 和英特尔reg;酷睿trade; i3 处理器采用行业标准的 x86 架构，拥有智能性能
DDR3 SDRAM内存的总线速率达到600 Mbps to 1.6 Gbps (300 to 800 MHz)，1.5V的低功耗工作电压，采用90nm制程达到2Gbits的高密度。这个架构毫无疑问更
随着半导体制程工艺的发展，硅晶体管的局限逐渐被显现出来，为了摩尔定律继续生效，业界推出了3D晶体管的的定义，而谈到3D晶体管，就不能不谈Intel的Tri-Gate晶体管和台积电的FinFET制程
随著LED照明应用对于元件输出要求渐增，传统LED封装不仅限制元件规格推进，也不利散热，新颖的无封装LED具备更好的散热条件，同时集成磊晶、晶粒与封装制程，可更便利地搭配二次光学设计照明灯具…LED光
