体系规划日益杂乱 要求高性能FPGA的规划与PCB规划并行进行

系统设计日益复杂 要求高性能FPGA的设计与PCB设计并行进行-复杂度日益增加的系统设计要求高性能FPGA的设计与PCB设计并行进行。通过整合FPGA和PCB设计工具以及采用高密度互连(HDI)等先进的制造工艺,这种设计方法可以降低系统成本、优化系统性能并缩短设计周期。

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选用可编程逻辑器件ISPLSI1032E对闪存芯片完成操控

采用可编程逻辑器件ISPLSI1032E对闪存芯片实现控制-存储器的发展具有容量更大、体积更小、功耗更低、价格更低的趋势,这在闪速存储器行业表现得淋漓尽致。随着半导体制造工艺的发展,主流闪速存储器厂家采用90nm,甚至73nm的制造工艺。

传感器制作工艺有哪些分类

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传感器制造工艺有哪些分类-传感器在近现代主要的制造工艺有四种,分别是集成传感器、薄膜传感器、厚膜传感器和陶瓷传感器。

意法半导体65nm工艺技术的SPEAr定制芯片

2008年5月26日 , 意法半导体公司的SPEAr®可配置型系统芯片系列新增加一款生力军,新款的SPEAr基本型产品采用当前最先进的65nm低功耗制造工艺,可满

逆袭!传统车怎么应对科技的应战

虽然传统汽车厂商在制造工艺、市场渠道等方面拥有无法撼动的优势,但是在面对车联网和智能化的大潮,老老实实的制造汽车已经显得有些落伍。

用反相器制成的真实的运算放大器

人们对更小巧、更高效CPU的青睐,促使互补式金属氧化物半导体(CMOS)的制造工艺达到了纳米级。但这些精良制造工艺涉及的电源缩放和器件漏电等问题给精密模拟电路带来了不利影响,致使研究人员需要开发可以实

FPGA规划中功耗的剖析与仿真

FPGA的应用越来越广泛,随着制造工艺水平的不断提升,越来越高的器件密度以及性能使得功耗因数在FPGA设计中越来越重要。器件中元件模块的种类和数量对FPGA设计中功耗的动态范围影响较大,对FPGA的电

DS1994L 4Kb、带有时钟的存储器iButton®的代替产

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DS1994L由Maxim的6英寸晶圆厂生产,所采用的制造工艺已经过时并且已经废除。因此,为了避免旧器件向新工艺移植造成的高开发成本,Maxim实施了DS1994L的最后一次采购,鼓励该器件的所有用户

MCS-51单片机的引脚描述及片外总线结构

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一、芯片的引脚描述HMOS制造工艺的MCS-51单片机都采用40引脚的直插封装(DIP方式),制造工艺为CHMOS的80C5180C31芯片除采用DIP封装方式外

根据单片机的霍尔传感器信号检测分析仪的规划

无刷直流电机(BLDC)应用中,常采用霍尔传感器来检测电机转子的实际位置,给电子换向提供依据。然而,由于制造工艺的限制,霍尔传

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