
使用四个CD4049UBE六反相器实现二级运算放大器的设计-人们对更小巧、更高效CPU的青睐,促使互补式金属氧化物半导体(CMOS)的制造工艺达到了纳米级。但这些精良制造工艺涉及的电源缩放和器件漏电等问题给精密模拟电路带来了不利影响,致使研究人员需要开发可以实现传统模拟密集型功能的高度数字化替代性架构。模拟域的“数字化”将最终延伸至广大的业余爱好者,他们将越来越难找到简单的模拟器件。

采用可编程逻辑器件ISPLSI1032E对闪存芯片实现控制-存储器的发展具有容量更大、体积更小、功耗更低、价格更低的趋势,这在闪速存储器行业表现得淋漓尽致。随着半导体制造工艺的发展,主流闪速存储器厂家采用90nm,甚至73nm的制造工艺。