在电源设计中，散热限制、峰值功率持续时间、峰值功率占空比等性能指标往往决定了IC产品是否被电源系统设计工程师所选用。PowerIntegrations（PI）产品行销总监NazzarenoRosset
许多用户在确定UPS功率时，由于资金的困扰和对UPS电源不甚了解，往往从目前机房设备的容量去选择UPS的功率，这样就会导致UPS功率容量与负载的功率相同或略大。实际上这样选择是不明智的。选购UPS电源
1.引言在UPS中使用的功率器件有双极型功率晶体管、功率MOSFET、可控硅和IGBT，IGBT既有功率MOSFET易于驱动，控制简单、开关频率高的优点，又有功率晶体管的导通电压低，通态电流大的优点、
变频电源技术特点提供世界各国标准电源、稳定纯净正弦波，模拟测试各种电器产品16位微控制器（模拟）控制，输出电压、频率智能（模拟）控制，操作灵活方便高频PWM设计，以IGBT做功率推动，体积小，噪音低独
在通信领域中，需要对传输信号进行质量的检测处理，目前的通信信号特别是光信号的光功率检测十分重要。在光纤信道中，光功率检测可以检测出激光信号的损耗，从而完成对光纤信号的质量检测。目前，微控制器应用于传感
大多应用都采用隔离式半桥栅极驱动器控制功率，从而要求高功率密度和效率，隔离式DC-DC电源模块的高隔离电压和可靠性至关重要。本文详细介绍这些设计理念，同时展现采用小型封装的隔离式半桥栅极驱动器IC在造
项目：某实验室一台电源坏了，拆开一看，UC3875控制的全桥，需要修理。现象：初步检查，功率管坏了，由于没有同型号的管子，把所有的管子换成同功率等级的管子。上电之后，输入电压较低的时候，一切正常。当输
逆变器的主功率元件的选择至关重要，目前使用较多的功率元件有达林顿功率晶体管(GTR)，功率场效应管(MOSFET)，绝缘栅晶体管(IGBT)和可关断晶闸管(GTO)等。在小容量低压系统中使用较多的器件
1GaN功率管的发展微波功率器件近年来已经从硅双极型晶体管、场效应管以及在移动通信领域被广泛应用的LDMOS管向以碳化硅(SiC)、氮镓(GaN)为代表的宽禁带功率管过渡。SiC、GaN材料，
前言我们如何才能使汽车驾驶室具备更多的功能，使发动机具有更大的功率，同时还能够符合各国政府对每加仑行驶距离的要求?只有采用新一代的低导通电阻功率MOSFET将汽车中传统的电力系统和液压系统改为电子系统
