我国硫化锂电池资料研讨获发展 或推进电动汽车前进

近日,中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所张跃钢课题组自主研发设计了原位扫描/透射电镜电化学芯片,实现了其对硫化锂(Li2S)电极充电过程的

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硅上GaN LED剖析

本站为您提供的硅上GaN LED分析,硅上GaN LED 不必受应力的影响,一定量的应力阻碍了输出功率。英国一个研究小组通过原位工具监测温度和晶片曲率,制备出低位错密度的扁平型150mm外延片,并将这些芯片安装到器件中

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