目前日本日亚公司垄断了蓝宝石衬底上GaN基LED专利技术,美国CREE公司垄断了SiC衬底上 GaN基LED专利技术。因此,研发其他衬底上的GaN基LED生产技术成为国际上的一个热点。南昌大学与厦门华
1、芯片辐射功率等级的区别:以厦门三安的芯片为例,S-23BBMUP-C*******,芯片尺寸为23X10mil,这个芯有4个辐射功率等级(@20mA),辐射功率越高,做出的灯珠越亮。D24辐射功率
目前日本日亚公司垄断了蓝宝石衬底上GaN基LED专利技术,美国CREE公司垄断了SiC衬底上 GaN基LED专利技术。因此,研发其他衬底上的GaN基LED生产技术成为国际上的一个热点。南昌大学与厦门华
1、芯片辐射功率等级的区别:以厦门三安的芯片为例,S-23BBMUP-C*******,芯片尺寸为23X10mil,这个芯有4个辐射功率等级(@20mA),辐射功率越高,做出的灯珠越亮。D24辐射功率