电路由缓冲器U、二极管D、P沟道绝缘栅场效应管Q、电阻R和电容C组成。当给缓冲器U输入控制脉冲,a点为高电平时,绝缘栅场效应管Q的栅极、源极都为高电平VH,P沟道绝缘栅场效应管Q截止,传感器TX两端仅
栅极与源极之间加一个电阻，这个电阻起到什么作用?一是为场效应管提供偏置电压;二是起到泻放电阻的作用：保护栅极G-源极S;第一个作用好理解，这里解释一下第二个作用的原理——保护栅极G-源极S：场效应管的
IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有M
“MOSFET(场效应管)”是英文MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor的缩写，译成中文是“金属氧化物半导体场效应管”。它是由金属、氧化物(Si
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)又称绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,
就要过年了，仔细想想怎么样也不能讲一个常用的mpn基本元件就讲两年吧!呵呵，无论如何抽空也要把最后一个常用的基本元件——场效应管给讲一下!场效应管在mpn中，它的长相和我们前面讲的三极管极像，
