51单片机外部中断请求源与内部中断请求源的用法解析-（1）外部中断请求源：即外中断0和1，经由外部引脚引入的，在单片机上有两个引脚，名称为INT0、INT1，也就是P3.2、P3.3这两个引脚。在内部的TCON中有四位是与外中断有关的。
IT0：INT0触发方式控制位，可由软件进和置位和复位，IT0=0，INT0为低电平触发方式，IT0=1，INT0为负跳变触发方式。这两种方式的差异将在以后再谈。
TensorFlow通过优化的开源SYCL™库获得对PowerVR GPU的原生支持-Imagination Technologies宣布：得益于全新优化的开源SYCL神经网络库，使用TensorFlow的开发人员将可以直接面向PowerVR图形处理器（GPU）进行开发。其首个版本将在2019年提供商用。
基于TMR的电流传感器在大电流无聚磁芯中的应用介绍-CUR 423x是该系列中第一款支持大电流直流和交流测量的产品，能测量1200A以上的电流。供电电流和感应电流的隔绝对电网和电动汽车的高压电池管理系统尤为有益。极佳的信噪比和全温度范围下全量程小于1%的总误差，使得产品能在上至5 kHz带宽的应用中进行精确电流测量。样品将在2019年第四季度开始提供。
基于MEMS技术的加速度传感器分析与应用-MEMS技术正在逐步走向民用和消费类市场，我们正处于“MEMS狂潮”的开端，ST将以其完善的生产基础、高效的执行能力、对消费电子市场的深入了解，以及先进而稳定的生产研发技术平台作为此次新浪潮的重要推动者。ST认为，以压力传感器、加速度传感器为代表的MEMS技术将在未来的产品中扮演越来越重要的角色，并带来席卷整个业界的威力；WSN可带来无穷无尽的创新应用，在攻克技术难关后必将进一步推动MEMS的创新革命。
IBM预计将在明年利用新创公司Diablo Technologies的技术，为伺服器双列直插式记忆体模组(DIMM)插槽加入 NAND 快闪记忆体(flash)。该公司并计划在 DIMM 埠中采
博通新DSL闸道器晶片BCM63138，能帮助电信商将Gigabit等级宽频服务带入家中。(博通提供)博通(Broadcom)宣布将在其BCM63138闸道系统单晶片(SoC)中，新增对G.fast
LSI 将在微软 BUILD 大会上展示其高可用性的直连存储技术2011 年 9 月 20日，北京讯 – LSI 公司(NYSE：LSI)日前宣布其正在与微软合作，共同针对云数据中
Tessera Technologies, Inc.旗下全资子公司Invensas Corporation今天宣布，将在本月中旬的Intel举办旧金山秋季IDF 2011上展示自己的新型多die面
JEDEC固态技术协会今天公布了DDR4内存标准中的部分关键属性，并宣布将在2012年年中正式发布新一代内存标准规范，相比于DDR3取得重大性能提升，同时继
