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提出了一种基于0.35μm BCD工艺的电平位移电路。该电路使用了耐压5V的CMOS器件。通过对常规电平位移电路进行分析,提出了优化改善的电平位移电路。电路仿真结果显示,与常规的电平位移电路相比,改进

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