3D闪存将优先于RRAM技能进入市场

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基于金属氧化物的非挥发性存储器 ──电阻式RAM(RRAM),在11nm节点前不可能进入市场;在此之前,堆叠式浮闸NAND闪存相对较具潜力,而且很可能会朝向2~4

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