MEMS硅膜电容式压力传感器的基本原理和结构设计-目前敏感薄膜的材料多采用重掺杂p型硅、Si3N4、单晶硅等。这几种材料都各有优缺点,其选择与目标要求和具体工艺相关。硅膜不破坏晶格,机械性能优异,适于阳极键合形成空腔,从简化工艺的目的出发,本方案选择硅膜。
传统的氮化镓(GaN)LED元件通常以蓝宝石或碳化硅(SiC)为衬底,因为这两种材料与GaN的晶格匹配度较好,衬底常用尺寸为2或4。业界一直在致力于用供应更为丰富的硅晶圆(6或更大)来发展GaN,因为
热的传播方式有“热传导”、“对流”、“热辐射”三种形态,晶格振动的传播、金属中自由电子的移动属于“热传导”,流体运动传热属于“对流”,通过电磁波传热是“热辐射”。热辐射散热法的优点是,在机壳密闭而且很