本文主要分析了超结结构的功率MOSFET的输出电容以及非线性特性的表现形态，探讨了内部P柱形成耗尽层及横向电场过程中，耗尽层形态和输出电容变化的关系，最后讨论了新一代超结技术工艺采用更小晶胞单元尺寸，