日研制出4Tbit/平方英寸存储密度的铁电存储体

日研制出4Tbit/平方英寸存储密度的铁电存储体

据美国物理研究所出版的《应用物理》杂志报道,日本东北大学的科学家们在试验室中使用铁电存储技术将存储芯片的存储密度提升到了每平方英寸4Tbit

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(注:Kaustubh Gadgil和Robert Schreiber合撰此技术文章。)随着系统尺寸越来越小,每平方毫米的印刷电路板(PCB)面积都至关重要。与此同时,随着对数据需求的增加,则需要监视

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