摘要本文探讨一套解决芯片单元级电测试过程电源电流失效问题的方法。当采用QFN-MR(四边扁平无引线–多排引脚封装)的BiCMOS(双极互补金属氧化物半导体)芯片进入量产预备期时，电源电流失效是
目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配，即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管，
“MOSFET(场效应管)”是英文MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor的缩写，译成中文是“金属氧化物半导体场效应管”。它是由金属、氧化物(Si
用GaN重新考虑功率密度-电力电子世界在1959年取得突破，当时Dawon Kahng和Martin Atalla在贝尔实验室发明了金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。首款商业MOSFET在
LDO能否提高小型照相机的照片质量-数字照相电子设备变得越来越便携，集成了高质量的解决方案。照相机应用的高性能与小型尺寸常常受到照相机中为互补金属氧化物半导体（CMOS）图像传感器供电的低压差（LDO
