本站为您提供的常规测量指南-如何进行热敏电阻测量，热敏电阻与 RTD 相似，热敏电阻也是温度敏感的半导体，其阻抗随温度而变化。热敏电阻由以玻璃或环氧珠封装的金属氧化物半导体材料制造而成。而且，热敏电阻的典型标称阻抗值要比 RTD 高得多，阻抗值从 2000Ω 到10，000Ω，故可用于较低电流的测量。那么如何进行热敏电阻测量呢？请看下文
本站为您提供的MOS晶体管，
MOS晶体管金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-SEMIconductor)结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，而PMOS管
本站为您提供的MOS场效应管的工作原理_场效应管测量方法_场效应管与三极管的区别，场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET）和金属 – 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。
本站为您提供的场效应管型号大全，场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET）和金属 – 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
本站为您提供的场效应管原理简析，场效应管的分类与参数，场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET）和金属 – 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。
本站为您提供的如何防止绝缘栅型场效应管击穿，绝缘栅场效应管的种类较多，有PMOS、NMOS和VMOS功率管等，但目前应用最多的是MOS管。MOS绝缘栅场效应管也即金属一氧化物一半导体场效应管，通常用MOS表示，简称作MOS管。它具有比结型场效应管更高的输入阻抗
本站为您提供的气敏电阻的特性是什么，目前国产的气敏元件有2种。一种是直热式，加热丝和测量电极一同烧结在金属氧化物半导体管芯内；另一种是旁热式，这种气敏元件以陶瓷管为基底，管内穿加热丝，管外侧有两个测量极，测量极之间为金属氧化物气敏材料，经高温烧结而成。
本站为您提供的气敏电阻的特性是什么，目前国产的气敏元件有2种。一种是直热式，加热丝和测量电极一同烧结在金属氧化物半导体管芯内；另一种是旁热式，这种气敏元件以陶瓷管为基底，管内穿加热丝，管外侧有两个测量极，测量极之间为金属氧化物气敏材料，经高温烧结而成。
