传统的氮化镓(GaN)LED元件通常以蓝宝石或碳化硅(SiC)为衬底，因为这两种材料与GaN的晶格匹配度较好，衬底常用尺寸为2或4。业界一直在致力于用供应更为丰富的硅晶圆(6或更大)来发展GaN，因为
东京大学生产技术研究所教授藤冈洋的研究室开发出了利用溅射法在玻璃基板上形成氮化镓（GaN）结晶构成LED的技术。该技术使基板及结晶生长的成本大幅降低，有望促进LED实现低价格化。另外还存在低成本实现大
关于实时功率GaN波形监视的设计方案-功率氮化镓 (GaN) 器件是电源设计人员工具箱内令人激动的新成员。特别是对于想要深入研究GaN的较高开关频率如何能够导致更高频率和更高功率密度的开发人员来说。R
实时功率GaN波形监视-功率氮化镓器件是电源设计人员工具箱内令人激动的新成员。特别是对于那些想要深入研究GaN的较高开关频率如何能够导致更高频率和更高功率密度的开发人员更是如此。RF GaN是一项已大
LED芯片的结构及组成材料-LED芯片由磷化鎵（GaP），鎵铝砷（GaAlAs），或砷化鎵（GaAs），氮化鎵（GaN）等材质组成，其内部结构为一个PN结，具有单向导电性。
LinkedIn随着碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等新材料陆续应用在二极管、场效晶体管(MOSFET)等组件上，电力电子产业的技术大革命已揭开序幕。 这些新组件虽然
