用宽禁带(WBG)设备的可用性，许多电源设计师已经开始调查FET的基于氮化镓上硅(上GaN-Si)的，适用于各种新的设计和新兴的应用的优点。住在调与客户，一
本篇文章将进一步阐述面向使用第四代移动通信技术(4G)LTE频带的无线通信基站基础设施并采用EPC8004高频氮化镓场效应晶体管设计的包络跟踪电源。包络跟
我们在之前的文章讨论了氮化镓场效应晶体管的优势，以及它具备可实现更高效率和更快开关速度的潜力，为硅MOSFET器件所不可能实现的。本章将探讨如何利
EPC9126HC开发板采用具备超快速功率转换特性的氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)，由于可以驱动高达150 A及可低至5 ns脉宽的脉冲大电流，因此可以提高激光
两年多前，德州仪器宣布推出首款600V氮化镓（GaN）功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率，且易于设计，带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起，我们就致力于利用这项尖端技术将功率级尽可能
EPC公司进一步更新了其广受欢迎的教育视频播客系列，上载了六个视频，针对器件可靠性及基于氮化镓场效应晶体管及集成电路的各种先进应用，包括面向人工智能的高功率密度运算应用，面向机械人、无人机及车载应用的
