CMOS技术制造传感器将彻底改变传感器市场-Nanusens在它的CMOS芯片层中制造纳米级的传感器，CMOS芯片也有控制电子。金属间介电介质(IMD)通过钝化层中的衬垫开口被蚀刻，使用蒸气高频 (vHF)来创建纳米传感器结构。然后将孔密封，必要时将芯片打包。由于只采用标准CMOS工艺，后处理最少，且传感器可根据需要与有源电路直接集成，因此传感器可能具有类似于CMOS器件的高产量。这也意味着生产是独立于代工厂的。
1.电容器变薄但静电容量却反而增加的理由根据数学表达式C=ε×S/d,增大电容器静电容量的方法有如下3种：①增大ε(介电常数)②增大S(电极面积)③减小d(电介质厚度)关于此处的①②，很容易形象…
随着技术的不断发展，各大领域的需求，移动电源占据着越来越重要的位置。移动电源是一个集储电，升压，充电管理于一体的便携式设备。储电介质一般采用锂电电芯，因为锂电电芯体积相对小巧，容量大，市场流通广，价格
对于胶体电介质铅酸蓄电池来说，该电路是一个高性能的充电器。该充电器能够迅速地为电池充电，且当电池充满时，它可迅速地断开充电。最开始的充电电流限制在2A。随着电池电流和电压的增加，当电流增加到150mA
导读：本文主要介绍的是压电传感器的原理，感兴趣的童鞋们快来学习一下吧~~很涨姿势的哦~~1.压电传感器原理–简介压电传感器是利用某些电介质受力后产生的压电效应制成的传感器。所谓压电效应是指某
DIN VDE V 0884-11:2017-01对数字隔离器认证的意义-目前，DIN VDE V 0884-11需要使用行业标准的时间相关的电介质击穿（TDDB）测试方法来收集隔离器的寿命预测数据。
