基于CPLD器件和tcd1201d芯片实现CCD自动增益系统的设计-ccd（charge couple device）是一种电荷藕合式光电转换器件。在物体位移测量系统中，常常以ccd作为位移传感器。当一束曝光器发出的激光照射到被测物体上并发生漫反射时，反射光将经透镜聚焦后成像在ccd上，以使ccd光敏单元感光，从而产生转移电荷。这样ccd驱动电路就会产生一定频率的驱动脉冲以反映物体位移信息，输出的信号为模拟信号。经a/d转换后，便可由后续处理电路采集和运算。
基于CPLD的可编程高精度CCD信号发生器的设计方案-CCD (Charge Coupled Devices)电荷藕合器件是20世纪70年代初发展起来的新型半导体 器件。目前CCD作为光电传感器由于其具有体积小、重量轻、功耗小、工作电压低和抗烧毁 等优点以及在分辨率、动态范围、灵敏度、实时传输、自扫描等特性，广泛地应用于摄像 材、气象、航天航空、军事、医疗以及工业检测等众多领域。
基于EPM7128SCL84-7芯片和quartus 2软件实现低频信号的锁相技术-在现代数字通信中， 数据传输，时钟校时等问题中很重要的一个方面是信号的同步。而同步系统中的核心技术就是锁相环。通常商用的全数字锁相环（DPLL）的关键部件是电荷泵和数字延迟线。电荷泵将数字鉴相器得到的相位差信息以电荷的方式累积起来，并根据积累的电荷量控制数字延迟线的反馈环，从而获得相应的本地估算时钟。即使是微小的相位差，也会导致电荷泵的电荷的累积。因此，这种技术实现的锁相环可以达到很高的同步精度。
压电陶瓷传感器的特性及工作原理解析-有自发极化的晶体，通常其表面俘获大气中的电荷而保持电平衡状态。当温度变化时，处于电平衡状态的晶体，其内部的自发极化发射随温度变化相应地变化。因为晶体表面电荷的变化跟不上晶体内部自发极化的变化，故可在晶体表面观测到电荷。
PID光离子传感器的工作原理-由紫外光源和气室构成。紫外发光原理与日光灯管相同，只是频率高，能量大。被测气体到达气室后，被紫外灯发射的紫外光电离产生电荷流，气体浓度和电荷流的大小正相关，测量电荷流即可测得气体浓度。
CCD和CMOS结构比较 CMOS成像技术的未来-CCD的工作原理是将光子信号转换成电子包并顺序传送到一个共同输出结构，然后把电荷转换成电压。接着这些信号会送到缓冲器并存储到芯片外。在CCD应用中，大部分功能都是在相机的电路板上进行的。当应用需要修改时，设计人员可以改动电路而无需重新设计图像传感器芯片。在CMOS图像传感器中，电荷转换成电压的工作是在每一像素上进行。
压电MEMS传感器介绍及原理解析-压电材料是指受到压力作用在其两端面会出现电荷的一大类单晶或多晶的固体材料，它是进行能量转换和信号传递的重要载体。最早报道材料具有压电特性的是法国物理学家居里兄弟，1880年他们发现把重物放在石英晶体上，晶体某些表面会产生电荷，电荷量与压力成正比，并将其成为压电效应。压电效应可分为正压电效应和逆压电效应两种。
分析压电效应当中MEMS传感器原理和应用-压电材料是指受到压力作用在其两端面会出现电荷的一大类单晶或多晶的固体材料，它是进行能量转换和信号传递的重要载体。最早报道材料具有压电特性的是法国物理学家居里兄弟，1880年他们发现把重物放在石英晶体上，晶体某些表面会产生电荷，电荷量与压力成正比，并将其成为压电效应。压电效应可分为正压电效应和逆压电效应两种。某些介电体在机械力作用下发生形变，使介电体内正负电荷中心发生相对位移而极化，以致两端表面出现符号相反的束缚电荷，其电荷密度与应力成比例。这种由“压力”产生“电”的现象称为正压电效应。反之，如果将具有压电效应的介电体置于外电场中，电场使介质内部正负电荷位移，导致介质产生形变。这种由“电”产生“机械变形”的现象称为逆压电效应。
高速线阵CCD IL-P1-4096的主要特点、引脚功能和应用分析-近年来，电荷耦合器件（CCD，Charge Coupled Devices）在图像拍摄方面起着非常重要的作用。是光电成像领域里非常重要的高新技术产品。与传统的拍摄传感器相比，CCD图像传感器具有输出噪声小、动态范围大、光谱响应范围宽、分辨率高、输出信号线性度好、功耗低、体积小、寿命长等优点。CCD从芯片结构上可分为面阵CCD和线阵CCD两种类型。面阵CCD主要用于黑白及彩色摄像，而线阵CCD则在高清晰图像拍摄方面表现出良好的应用前景，因此，CCD成为现代光电子学和测试技术中最活跃、最富有成果的应用器件之一。
