磁性随机存取存储器(MRAM)是一种非易失性存储器技术,正在作为一种主流的数据存储技术被业界所广泛接受。它集成了一个磁阻器件和一个硅基选择矩阵。MRAM的关键属性有非易失性、低电压工作、无限次读写的耐
磁阻角度与线性位置测量系统经常会被应用到电机的控制上,应用十分广泛。下文就给出了该种测量系统的设计方案。包括硬件选型,软件仿真与测试结果。电路功能与优势图1所示紧凑型双芯片电路提供非接触式各向异性磁阻
摘要:设计了一款具有倾斜补偿功能的三轴磁阻电子罗盘,并对样机系统做了误差补偿。本系统以磁阻传感器HMC1043和MEMS加速度传感器ADXL203为信号采集模块,以MSP430F149单片机为信号处理
UC3842的多输出开关电源由30kW开关磁阻电机控制器设计,电机功率变换器的主电路为不对称半桥电路。采用反激变换器结构,具有结构简单、损耗小的优点,但输出电压纹波较大,通常适用与150W以下的电源。