主要实现基带信号处理与信息管理。具体包括:曼彻斯编码、米勒解码、GMSK调制/解调、BPSK解调/解调、防碰撞算法、网络接口协议。
功率器件,如IGBT,Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等,都需要有充分的保护,以避免如欠压,缺失饱和,米勒效应,过载,短路等条件所造成的损害。
当IGBT在开关时普遍会遇到的一个问题即寄生米勒电容开通期间的米勒平台。米勒效应在单电源门极驱动的应用中影响是很明显的。基于门极G与集电极C之间的耦合,在IGBT关断期间会产生一个很高的瞬态dv/
IGBT技术大多应用在大功率电源场合,要在这些场合应用,首先就需要拥有避免欠压、米勒效应、过载一类的不良反应。因此在隔离驱动IGBT功率器件的设计上
由米勒电容引起的寄生导通效应,常被认为是当今碳化硅MOSFET应用的一大缺陷。为了避免这种效应,在硬开关变流器的栅极驱动设计中,通常采用负栅极电压关断。但是这对于CoolSiC™ MOSFET真的有必
在线咨询:
邮箱: kf@86ic.com