压电薄膜传感器的原理和实用电路设计-在非倾斜应用(短时加速)中,可以将压电检波器或压电薄膜传感器用作传感器。任何类型的压电传感器都有一个与电容串联的交流电压源等效电路(加上其他会产生二阶效应的电抗元件,不在此进行分析)。典型的容值为几百皮法到几纳法。电压源的电容耦合就是为什么器件不能提供稳态的倾斜度测量的原因。
典型的MEMS工艺流程的简介-MEMS表面微机械加工工艺是指所有工艺都是在圆片表面进行的MEMS制造工艺。表面微加工中,采用低压化学气相淀积(LPCVD)这一类方法来获得作为结构单元的薄膜。表面微加工工艺采用若干淀积层来制作结构,然后释放部件,允许它们做横向和纵向的运动,从而形成MEMS执行器。最常见的表面微机械结构材料是LPVCD淀积的多晶硅,多晶硅性能稳定且各向同性,通过仔细控制淀积工艺可以很好的控制薄膜应力。此外,表面微加工工艺与集成电路生产工艺兼容,且集成度较高。
压电薄膜传感器设计及电路图详解-压电薄膜传感器是器件X1。在原型设计当中,使用了测量专用的 LDTM-028K器件。这个传感器的一端已经施加了一个很小的重力,在这端再增加大的重力,可以提高灵敏度。传感器通过R1连到运放U1的非反向输入端,R1可防止过压对运放的输入造成损害。如果传感器承受的加速度非常高(如重击),就很可能发生这种情况。
电容式压力传感器的类型及原理解析-电容式压力传感器一般采用圆形金属薄膜或镀金属薄膜作为电容器的一个电极,当薄膜感受压力而变形时,薄膜与固定电极之间形成的电容量发生变化,通过测量电路即可输出与电压成一定关系的电信号。
机油压力传感器的封装工艺和可靠性研究-MEMS压力传感器是利用压阻效应原理,采用集成工艺技术经过掺杂、扩散,沿单晶硅片上的特定晶向,制成应变电阻,构成惠斯通电桥,利用硅材料的弹性力学特性,在同一硅材料上进行各向异性微加工,制成了一个集力敏与力电转换检测于一体的扩散硅传感器。通常传感器芯片上制作有4个多晶硅电阻,电阻制作在硅薄膜的边沿位置,这是因为在薄膜的边沿处,当薄膜受到作用力时,应变引起的电阻变化最大。
基于MEMS技术的风速和风向测量传感器设计-硅薄膜式测风传感器的设计示意图如图1所示。薄膜式风速风向传感器主要是利用风吹薄膜对薄膜产生风压,风压导致薄膜形变,薄膜上的应变电阻就会感应到薄膜的形变。通过测量应变电阻的变化即可解算出风速大小。设定测量时风正面吹向薄膜如图2所示。
KMI10系列旋转速率传感器的特点参数及结构原理-KMI10系列旋转速率传感器又称齿轮传感器。它是Philips公司研制开发的以Ni-Fe合金薄膜磁阻元件为核心的敏感元件,这种新颖的旋转速度传感器基于薄膜磁阻元件的磁阻效应原理而制成的。采用
二线制模式,能实现信号的远距离传输。