传统的氮化镓(GaN)LED元件通常以蓝宝石或碳化硅(SiC)为衬底，因为这两种材料与GaN的晶格匹配度较好，衬底常用尺寸为2或4。业界一直在致力于用供应更为丰富的硅晶圆(6或更大)来发展GaN，因为
看见一个资深工程师自己在本站网站上总结了几个LED芯片使用过程中经常遇到的问题及如何解决，分享给大家，请看下文。1、正向电压降低，暗光：A：一种是电极与发光材料为欧姆接触，但接触电阻大，主要由材料衬底
LED封装体的热电分离是指芯片的电通路和封装热沉没有电连接。从导电通路的结构来看，LED芯片可分为两类，一种是垂直导电型，一种是水平导电型。垂直导电型芯片是上下两面都有电极的芯片，芯片的衬底材料是导电
LED封装体的热电分离是指芯片的电通路和封装热沉没有电连接。从导电通路的结构来看，LED芯片可分为两类，一种是垂直导电型，一种是水平导电型。垂直导电型芯片是上下两面都有电极的芯片，芯片的衬底材料是导电
IGBT技术进步主要体现在两个方面：通过采用和改进沟槽栅来优化垂直方向载流子浓度，以及利用“场终止”概念（也有称为“软穿通”或“轻穿通”）降低晶圆n衬底的厚度。此外，带有单片二极管的IGBT概念也经常
0引言Si外延层厚度的测量方法有多种，主要包括称重法、层错法、磨角染色法、解理法和红外干涉法。这些方法各具特点与适用范围，例如，采用红外干射法进行测量时，要求衬底表面对入射光具有足够的反射能力。半导体
Flash存储器闪存工作原理及具体步骤-什么是闪存？闪存的存储单元为三端器件，与场效应管有相同的名称：源极、漏极和栅极。栅极与硅衬底之间有二氧化硅绝缘层，用来保护浮置栅极中的电荷不会泄漏。
低电压、低功耗模拟电路设计方案-本文研究了衬底驱动MOS管技术和运用这一技术进行低电压低功耗模拟电路设计的方法，并且运用这种技术设计低电压低功耗衬底驱动跨导运算放大器和电流差分跨导放大器。
LED衬底材料和护栏组成的一些你必须知道的小常识！-柴氏拉晶法（Czochralski method），简称CZ法。先将原料加热至熔点后熔化形成熔汤，再利用一单晶晶种接触到熔汤表面，在晶种与熔汤的固液
