用GaN重新考虑功率密度-电力电子世界在1959年取得突破，当时Dawon Kahng和Martin Atalla在贝尔实验室发明了金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。首款商业MOSFET在
当“Wi-Fi之父”维克·海耶斯（Vic Hayes）在1988年应当时就职的NCR公司的要求，开始为收银机寻找一种无线连接方法时，他无论如何也想不到他后来与贝尔实验室的布鲁斯·塔奇（Bruce Tu
当“Wi-Fi之父”维克·海耶斯（Vic Hayes）在1988年应当时就职的NCR公司的要求，开始为收银机寻找一种无线连接方法时，他无论如何也想不到他后来与贝尔实验室的布鲁斯·塔奇（Bruce Tu
那是1947年的一个冬天，贝尔实验室的三位科学家发明了三极管，改变了世界，推动了全球的半导体电子工业。于是10年后又一个冬天，哥仨一起获得了诺贝尔物理学奖。然而这三极管可不是被凭空发明出来的，从结
剖析如何证明叉指结构在单片晶体滤波器中的作用设计-滤波器是频率选择系统中的关键元器件，在通信、导航、广播电视、宇航工程的电子设备中，占有重要的地位。随着1963年能陷理论的出现，在1966年日本东京大学工业科学学院和美国贝尔实验室分别研制出单片式晶体滤波器（MCF）。单片晶体滤波器通过在压电材料的基片上应用真空镀膜的方式，镀上若干有确定位置和确定尺寸形状的电极，按照滤波的需求有目的的通过设计来确定每个谐振器的几何尺寸，镀回频率以及谐振器之间的距离，来控制机械振动波在基片上的传播，从而达到将电信号滤波的目的。
精简型Sigma-Delta A/D转换器电路的特此安及应用分析-随着半导体制造技术，多媒体技术的迅速发展，图像传感器作为数码相机，摄像头等图像获取设备的核心部件正在成为当前和未来研究的重点。按照类型来分图像传感器主要可以分为CCD型和CMOS型。CCD（Charged Coupled Device）技术由在贝尔实验室在1969年首先提出，至今已有25年的历史。
揭密iPhone多触点技术的由来和原理-尽管多触点技术最近才引起大众的关注，它的技术起源可以追溯到至少25年前。当时的多伦多大学和贝尔实验室是这一领域两个主要的研究机构。
本站为您提供的晶体管的发展历史及其重要里程碑，晶体管的发展历史及其重要里程碑
1947年12月16日：威廉·邵克雷（William Shockley）、约翰·巴顿（John Bardeen）和沃特·布拉顿（Walter Brattain）成功地在贝尔实验室
本站为您提供的如何查看钽电容的耐压值是多少，钽电容是 电容器中体积小而又能达到较大电容量的产品，是1956年由美国贝尔实验室首先研制成功的，它的性能优异。钽电容器外形多种多样，并制成适于表面贴装的小型和片型元件。钽电容器不仅在军事通讯，航天等领域应用，而且钽电容的应用范围还在向工业控制
