半导体材料研究和器件测试通常要测量样本的电阻率和霍尔电压。半导体材料的电阻率主要取决于体掺杂,在器件中,电阻率会影响电容、串联电阻和阈值电压。霍尔电压测量用来推导半导体类型(n还是p)、自由载流子密度
德州仪器(TI)近日推出其首款零漂移霍尔效应电流传感器。TMCS1100和TMCS1101随时间和温度变化具有超低漂移和超高精度,同时提供可靠的3-kVrms隔离。这对于诸如工业电机驱动、太阳能逆变器
半导体材料研究和器件测试通常要测量样本的电阻率和霍尔电压。半导体材料的电阻率主要取决于体掺杂,在器件中,电阻率会影响电容、串联电阻和阈值电压。霍尔电压测量用来推导半导体类型(n还是p)、自由载流子密度
德州仪器(TI)近日推出其首款零漂移霍尔效应电流传感器。TMCS1100和TMCS1101随时间和温度变化具有超低漂移和超高精度,同时提供可靠的3-kVrms隔离。这对于诸如工业电机驱动、太阳能逆变器