1、引言静电探测是将目标周围空间的电场作为探测源对目标进行探测的一种方法，静电成像利用目标周围静电场对目标进行成像。任何使用发动机或移动的物体都必定会因为各种不同的带电过程而带上静电，静电目标在一定距
1 引言电荷量是反映带电体情况的最本质的物理量，它决定着带电体产生静电放电的概率和危险性。一般情况下，电荷量不是直接测量，而是通过测量其它有关参量来计算电荷量的多少[1]。常使用的工具是静电电位计和静
ESD(静电放电)是CMOS电路中最为严重的失效机理之一，严重的会造成电路自我烧毁。论述了CMOS集成电路ESD保护的必要性，研究了在CMOS电路中ESD保护结构的
意法半导体(STMicroelectronics, ST)推出新款 EMIF06-MSD03F3 单晶片，该元件整合 EMI 滤波与静电放电(ESD)保护功能，适用于配备SD 3.0超高速(UHS-
2012年2月14日—— TE Connectivity旗下的一个业务部门TE电路保护部日前发布一个系列8款全新的单/多通道硅静电放电(SESD)保护器件，可提供市场上最
硅ESD(SESD)保护器件可以防止电路因静电放电(ESD)事件而受损。0201规格SESD器件的尺寸极小(0.6mm x 0.3mm x 0.3mm)，比上一代器件的面积小了近70%，在空间受到
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