将GaN FET与它们的驱动器集成在一起可以改进开关性能，并且能够简化基于GaN的功率级设计。
劳伦斯伯克利国家实验室(Lawrence Berkeley National Laboratory)
文章转自ADI官网，版权归属原作者所有 摘要电信行业不断需要更高的数据速率，工业系统不
在线咨询:
邮箱: kf@86ic.com
