IGBT根底与运用
IGBT， 中文姓名为绝缘栅双极型晶体管，它是由MOSFET(输入级)和PNP晶体管(输出级)复合而成的一种器材，既有MOSFET器材驱动功率小和开关速度快 的特色(操控和呼应)，又有双极型器材饱满压下降而容量大的特色(功率级较为经用)，频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常作业于几十kHz 频率范围内。
抱负等效电路与实践等效电路如图所示：
IGBT 的静态特性一般用不到，暂时不必考虑，要点考虑动态特性(开关特性)。
动态特性的简易进程可从下面的表格和图形中获取：
IGBT的注册进程
IGBT 在注册进程中，分为几段时刻
1.与MOSFET相似的注册进程，也是分为三段的充电时刻
2.只是在漏源DS电压下降进程后期，PNP晶体管由放大区至饱满进程中增加了一段延迟时刻。
在上面的表格中，界说了了：注册时刻Ton，上升时刻Tr和Tr.i
除了这两个时刻以外，还有一个时刻为注册延迟时刻td.on:td.on=Ton-Tr.i
IGBT在关断进程
IGBT在关断进程中，漏极电流的波形变为两段。
榜首段是依照MOS管关断的特性的
第二段是在MOSFET关断后，PNP晶体管上存储的电荷难以敏捷开释，形成漏极电流较长的尾部时刻。
在上面的表格中，界说了了：关断时刻Toff，下降时刻Tf和Tf.i
除了表格中以外，还界说
trv为DS端电压的上升时刻和关断延迟时刻td(off)。
漏极电流的下降时刻Tf由图中的t(f1)和t(f2)两段组成，而总的关断时刻能够称为toff=td(off)+trv十t(f)，td(off)+trv之和又称为存储时刻。
从下面图中可看出具体的栅极电流和栅极电压，CE电流和CE电压的联系：
从别的一张图中细看MOS管与IGBT管栅极特性或许更有一个清楚的概念：
敞开进程
关断进程
