本例介绍的电发电机组主动稳压器PCB电路，具有稳压性能好、适应性强、本钱低价等特色，可用于各种中、小型内燃发电机组和水电站等主动稳压，也可用于改造旧式发电机组。
PCB电路作业原理该发电机组主动稳压器PCB电路由同步触发电源PCB电路、弛张振动触发器、稳压操控PCB电路、无功电流调理PCB电路、外动力缺乏维护PCB电路。
同步触发电源PCB电路由电源变压器T、整流二极管VD4~VD9、稳压二极管VS1和电阻器R1组成。
弛张振动触发器PCB电路由晶体管V2、单结晶体管VU、电阻器R2~R5和电容器C2、C3组成。
稳压操控PCB电路由电源变压器T、整流二极管VD10~VD15、电阻器R6~R8，电位器RP2、电容器C1和稳压二极管VS2、VS3组成。
无功电流调理PCB电路由电流互感器TA、电位器RP1、开关S1和整流二极管VD16~VDl9组成。
励磁PCB电路由沟通发电机G的等励磁绕组WE；二极管VD1、VD2、晶闸管VT、K1的常闭触点K1~1、熔断器FU1等组成。
外动力缺乏维护PCB电路由电阻器R9~Rl2、二极管VD25~VD31、晶体管V1、电容器C4~C8和继电器K2组成。
充磁PCB电路由充磁按钮S2、二极管VD2O~VD24、K1的常闭触点K1~2、熔断器FU2和T的W4绕组组成。
来自发电机G的三相沟通电压晶经T降压后，在T的W5~W7绕组上发生30V三相正弦沟通电压，在W8~W1O绕组上发生18V三相正弦沟通电压。W5~W7绕组上的电压经VD4~VD9整流、R1限流降压及VS1稳压后，发生15V梯形波直流电压，作为弛张振动触发器的同步电源；W8~W1O绕组上的电压经VD1O~VD15整流、R6和RP2限流降压及C1滤波后，经过由R7、R8和VS2、VS3组成的桥式丈量PCB电路加至弛张振动触发器，作为其操控信号电压。
在发电机G刚开始发电时，C两头电压（桥式丈量PCB电路的输入电压）较低，VS2和VS3均不导通，弛张振动触发器不作业。当发电机G的端电压上升至200V时，VS2和VS3击穿导通，使弛张振动触发器作业，从VU的榜首基极输出脉冲波信号，该信号经VD3加至VT的门极，作为其触发信号。这样，发电机在短时间内建立起空载电压。
跟着发电机端电压的不断升高，a、b两头电压逐步下降。当发电机的端电压超越40OV时，a、b两头电压降为OV，使V2截止，弛张振动触发器停振，VU无脉冲信号输出，VT截止，切断了励磁PCB电路的直流电源，使发电机的端电压稳定为400V（空载额外值）。一旦因负荷或其他原因使发电机的输出端电压下降时，a、b两头电压会当即上升，使V2导通，弛张振动触发器振动作业，VU输出的脉冲信号便VT受触发导通，加大发电机转子的励磁电流，迫使发电机输出电压上升至额外负载电压值。
当发电机并联运转时，流过电流互感器TA的无功电流加大，使TA二次绕组上的感应电压升高，该电压经RP1分流调理及VD16~VD19整流后，在R6上构成直流电压降，然后改动a、b两头电压的凹凸。当无功电流增大时，a、b两头电压下降，使VT的导通角变小，发电机的无功电流下降。
当发电机的外动力（内燃机、水轮机等）转速缺乏时，发电机输出电压的频率会显着下降，这会使发电机和负载（沟通电动机等）的作业电流上升，发电机因端电压下降而励磁电流加大使晶闸管VT过电流损坏，乃至还或许烧坏发电机。为了使发电机在外动力缺乏时中止发电，增加了由V1和K2等组成的外动力缺乏维护PCB电路。在发电机输出电压的频率因外动力缺乏而下降时，V1导通，使K2通电吸合，其常开触点接通，将VS1短路，弛张振动触发器失掉+15V电压而中止作业，晶闸管VT失掉触发脉冲而截止，然后维护了发电机和晶闸管VT.
发电机G工作后，由剩磁感应构成的单相低电压（约12V）经VD1半波整流构成直流电流并流过励磁绕组WE，此弱小的励磁电流使发电机定子宣布高一些的低电压。若发电机转速已达额外值，这一正反馈进程使发电机在极短的时间内（小于3S）建立起空载三相端电压。当发电机电压上升至200~300V时，K1通电吸合，其常闭触点K1-1和K1-2断开，改由VT导通供应励磁电流。
发电机G在额外转速下带负荷运转时，其励磁电流回路为：中性线N→励磁绕组WE→晶闸管VT→熔断器FU1→发电机的U输出端（L1相）。
VD2为续流二极管，它并接在励磁绕组WE两头，在VT导通时截止，在VT截止时导通。
当发电机因长时间停机未用或受潮等其他原因形成严峻失磁时（正常时，发电机剩磁电压为20V左右，失磁后降为6~10V），将无法自行建立起空载电压。此刻可按一下充磁按钮S2，失磁后的6~1OV电压经T的W4绕组升压、VD2O~VD24整流后直接供应励磁线圈WE，使发电机在失磁的情况下建立起空载电压，而不必外接蓄电池。
RP2为电压确定电位器，在发电机发动运转后，调整RP2的阻值，使发电机的输出电压为400V（50Hz或60Hz）。
元器件挑选R1和R6均选用2W金属膜电阻器；其他各电阻选用1/2W的金属膜电阻器或碳膜电阻器。 P1选用线绕可变电阻器；RP2选用2W精细电位器或可变电阻器。
C1、C2、C4、C6、C7和C9均选用耐压值为25V的铝电解电容器；C3、C5和C8均选用独石电容器。
VD1选用2OA、400V的硅整流二极管，例如2CZ59F等类型；VD2选用5OA、400V的硅整流二极管，例如2CZ60F等类型；VD3~VD35均选用1N4007型硅整流二极管。
VS1~VS3均选用1W的硅稳压二极管。
V1选用S8550或3CG8550型硅PNP晶体管；V2选用2SA1O15或3CG1O15型硅PNP晶体管。
VU选用BT33F型单结晶体管。
VT选用5OA、400V以上的晶闸管。
K1和K2选用24V小型直流继电器。
